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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET,顯著提升高耗電應用的能效 ? 新聞要點 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣...
晶圓代工龍頭中芯國際在未來5至7年內將有約34萬片晶圓產能的12英寸生產線建設項目,其中包括深圳、北京、上海等地項目。
SIC材料一定是近期的熱門焦點內容,對此我們也知道采購與需要SiC 清洗機的迫切要求。那么盡然如此,在采購之前,大家都得做做功課。大家知道,SiC 清洗...
? 本文介紹了半導體材料碳化硅的性能、碳化硅單晶生長以及高純碳化硅粉體的合成方式。 在科技飛速發展的今天,半導體材料領域正經歷著一場深刻的變革。第三代寬...
安森美(onsemi,納斯達克股票代碼:ON)宣布已與Qorvo達成協議,以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiCJFET) 技術業務及...
近日,安森美半導體公司宣布了一項重要的收購計劃,以1.15億美元現金收購Qorvo的碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)技術業務及其子公司Unit...
本文主要介紹??????自蔓延法合成碳化硅的關鍵控制點。?? ???? 合成溫度:調控晶型、純度與粒徑的關鍵因素 在改進的自蔓延合成法中,溫度起著決定性...
MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模塊,助力實現尺寸更小,效率更高的工業設備
東芝兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者額定電壓為1200V,額定漏極電流為600A;后...
在全球科技快速發展的今天,電子器件正朝著更高速、更高功率和更小尺寸的方向不斷邁進。傳統的硅基技術雖然在過去幾十年中取得了巨大成功,但在面對新興應用如5G...
全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊,實現電力電子產業升級和自主可控!
BASiC?基半股份一級代理商全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊,實現電力電子產業升級和自主可控! 為什么在儲能變流器PCS應...
晶體生長在分析晶體生長時,我們需要考慮多個關鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長的質量和進程。本文介紹了晶體生長相關內容,包括:雜對晶格硬度變化影響、碳化...
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