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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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瀚天天成科創板IPO受理!碳化硅外延片收入三年漲近13倍,募資超35億擴產
電子發燒友網報道(文/劉靜)近日,瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司(以下簡稱:瀚天天成)科創板IPO成功獲上交所受理,保薦機構為中金公司。 瀚天天成...
2023年開年融資金額超20億!國產SiC產業鏈逐漸完整,汽車、儲能產品落地
電子發燒友網報道(文/莫婷婷)近年來,SiC功率器件的大規模上車,國內外廠商的SiC襯底、器件的產能擴充項目也在加速推進。例如業界龍頭Wolfspeed...
無論在消費、工業還是汽車領域,目前氮化鎵都已有了成熟應用的案例。英諾賽科銷售副總裁陳鈺林指出,在快充和激光雷達領域,氮化鎵已經實現了千萬級別的出貨,英偉...
1月18日,青銅劍第三代半導體產業基地奠基儀式在深圳坪山舉行。 青銅劍第三代半導體產業基地是深圳市2020年重大項目,預計2022年底完工。該基地將作為...
博世作為在汽車與智能交通領域深耕多年的產業巨擘,在家居和工業領域也能看到他們的身影。在智慧出行的迅速推行下,博世提出了哪些革新技術和解決方案呢?電子發燒...
安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 (SiC) MOSFET,它具有出色的開關性能和更高的可靠性。...
中科院成功制備8英寸碳化硅襯底;華強北二手iPhone價格大跳水
中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網發文表示,科研人員通過優化生長工藝,進一步解決了多型相變問題,持續改善晶體結晶質量,成功生...
采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題,提高晶體生長質量,是“長快、長厚、長大”的核心技術方向之一。為了推動行業技術發展,解決關鍵材料“進口”依賴,恒普...
第1章導論1.1電子學的進展1.2碳化硅的特性和簡史1.3本書提綱第2章碳化硅的物理性質2.4總結2.3熱學和機械特性2.2.6擊穿電場強度2.2.5漂...
2022-05-09 標簽:碳化硅 4052 0
國產第三代半導體“搶跑”,縮短技術差距與大幅投資擴產并舉,需注重產能與需求雙向平衡
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)第三代半導體的火熱程度勿需多言,從氮化鎵電源適配器的規模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊,再到國內如火如荼地投資第三代半導體,這...
7.4 結勢壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和
7.4結勢壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內...
碳化硅器件步入發展“快車道”,碳化硅襯底龍頭企業最新進展到哪了?
電子發燒友原創? 章鷹 ? 2023年,車規級碳化硅器件進入供不應求的階段。當前碳化硅市場處于結構性缺貨中,車規級產品持續短缺,光伏、儲能需求也在增長。...
2023-05-24 標簽:碳化硅 4000 0
電子發燒友網報道(文/黃山明)在當前的儲能系統中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應用時,寬禁帶半導體材料如SiC(碳化硅)正越來越受到青睞,因為這種材料...
意法半導體推出第三代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET晶體管
意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產品性能和可靠性,保持慣有領先地位,更加適合電動汽車和高能效工業應用
英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統成本
大聯大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有...
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