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標(biāo)簽 > 納微半導(dǎo)體
Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。
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納微半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)三項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日,一年一度的行家說(shuō)三代半年會(huì)“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”重磅召開(kāi)。納微半導(dǎo)體憑借2024年優(yōu)異的應(yīng)用和產(chǎn)品表現(xiàn),榮...
2024-12-13 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心SiC納微半導(dǎo)體 404 0
納微半導(dǎo)體亮相2024亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
近日日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十五屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大舉辦。上百余電源上下游企業(yè)和3000多名專(zhuān)業(yè)工程師匯聚一堂,共同交流電源技術(shù)最新研究...
近日, 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) ...
2024-12-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心AI氮化鎵 321 0
納微半導(dǎo)體再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)。全球不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)和客戶對(duì)先進(jìn)、高效、寬禁帶氮化鎵(GaN...
2024-11-22 標(biāo)簽:AI氮化鎵納微半導(dǎo)體 415 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
2024-11-08 標(biāo)簽:電源GaN功率半導(dǎo)體 439 0
納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場(chǎng),幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也...
集成之巔,易用至極!納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專(zhuān)利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片,具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無(wú)損電流感測(cè)功能,助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。...
2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 737 0
近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...
2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 361 0
納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證
納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車(chē)規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFET...
2024-10-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)碳化硅納微半導(dǎo)體 407 0
全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì)電源能在最小尺寸下,為每個(gè)搭載AI GPU的機(jī)柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...
2024-07-26 標(biāo)簽:電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1308 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案
加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼...
2024-07-26 標(biāo)簽:服務(wù)器數(shù)據(jù)中心AI 1055 0
聯(lián)想新品充電器搭載納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片,革新快充體驗(yàn)
在科技日新月異的今天,充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日,納微半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用,為消費(fèi)者帶來(lái)了前所...
2024-06-22 標(biāo)簽:充電器聯(lián)想納微半導(dǎo)體 943 0
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NV...
2024-06-21 標(biāo)簽:聯(lián)想氮化鎵納微半導(dǎo)體 1480 0
CNBC對(duì)話納微CEO,探討下一代氮化鎵和碳化硅發(fā)展
近日,納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC,與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對(duì)話,分享了在AI...
2024-06-13 標(biāo)簽:AI功率芯片納微半導(dǎo)體 541 0
CNBC對(duì)話納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan
在AI技術(shù)的快速發(fā)展推動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心對(duì)電源功率的需求正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan近日在CNBC的WORLDWIDE EX...
2024-06-11 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心功率芯片納微半導(dǎo)體 662 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)...
2024-06-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅納微半導(dǎo)體 957 0
納微正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列
? 具備行業(yè)領(lǐng)先的溫控性能,全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運(yùn)行和快速開(kāi)關(guān),為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動(dòng)汽車(chē)充電。 加利福尼亞...
2024-06-11 標(biāo)簽:服務(wù)器數(shù)據(jù)中心碳化硅 599 0
納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)
在電力電子領(lǐng)域,納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日...
2024-05-30 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 608 0
納微半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024
加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS...
2024-05-24 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器功率半導(dǎo)體碳化硅 723 0
納微半導(dǎo)體CEO入圍安永大洛杉磯地區(qū)2024年度企業(yè)家的最終評(píng)選
安永會(huì)計(jì)師事務(wù)所今日宣布,納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Gene Sheridan先生入圍安永大洛杉磯地區(qū) 2024 ...
2024-05-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)太陽(yáng)能移動(dòng)終端 522 0
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