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標簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。
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任何電子設備的可靠性都取決于硬件保護電路的設計。終端用戶很可能會犯各式各樣的錯誤,所以優秀的硬件設計師需要負責硬件失誤的發生。
兩個同向并聯,理論上可以允許雙倍于一個管子的電流通過(條件是兩個二極管的結壓降必須相同,如果不同則最大允許電流要降低,不然的話先燒壓降大的,燒斷后另一個...
普通硅二極管和肖特基二極管區別_肖特基二極管和快恢復二極管區別
本文主要介紹了普通硅二極管和肖特基二極管的相同和區別以及快恢復二極管和肖特基二極管的區別,并附上了普通硅二極管,肖特基二極管和快恢復二極管的圖片。
本文主要介紹橋堆,包括全橋和半橋的檢測方法,以及硅堆的檢測方法,還有變阻二極管和肖特基二極管的檢測方法。
場效應管是場效應晶體管的簡稱,應為縮寫為FET。場效應管通常分為兩類:1)JFET和MOSFET。這兩類場效應管都是壓控型的器件。場效應管有三個電極,分...
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