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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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主動(dòng)PFC是服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)(SSI)一致性的要求:供電模塊應(yīng)該采用帶主動(dòng)功率因數(shù)校正的通用電源輸入,從而可以減少諧波,符合EN61000-3-2和JEI...
在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,同步變化的高邊和低邊有源開(kāi)關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開(kāi)關(guān)的此類電路。與使用無(wú)源肖特基二極管作為低邊開(kāi)關(guān)的架構(gòu)相...
2022-08-01 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器降壓轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 491 0
肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成
Imec 展示了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和耗盡型 (d-mode) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 在基于 p 型氮化鎵 (GaN) HEMT 的 20...
2022-07-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶圓肖特基二極管 1267 0
采用Trench肖特基二極管實(shí)現(xiàn)電源功率密度的顯著提升
電源開(kāi)發(fā)通常是一個(gè)艱難的過(guò)程。無(wú)論是用于交流電設(shè)備還是便攜式設(shè)備,用戶都期望電源達(dá)到很高的效率,同時(shí)盡可能保持小巧緊湊。成本也是一個(gè)重要因素,另外電源還...
2022-07-23 標(biāo)簽:肖特基二極管開(kāi)關(guān)控制器ACDC電源 688 0
隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,電子設(shè)備的體積和重量越來(lái)越小,而傳統(tǒng)的連續(xù)式申聯(lián)穩(wěn)壓電源由于體積大、效率低則不能滿足整機(jī)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。開(kāi)關(guān)電源是體積小、重量輕、...
2022-05-20 標(biāo)簽:整流二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管 5670 0
如下是最傳統(tǒng)的采用 PMOS 做防反功能的電路單元,PMOS 的門(mén)級(jí)接電阻到地。當(dāng)輸入端接正向電壓時(shí),電流流過(guò) PMOS 的體二極管到負(fù)載端,當(dāng)正向電壓...
2022-05-18 標(biāo)簽:肖特基二極管電源系統(tǒng)PMOS 2830 0
具有1級(jí)防護(hù)設(shè)計(jì)的電路板在斷電時(shí)能限制帶電總線和插入電路板接口之間的電流,從而防止插入電路板受到損壞。這種瞬態(tài)電流限制就能保證在不打斷主電源情況下帶電插...
瑞能G3 SBD 肖特基二極管,采用最新的 TMBS 技術(shù),實(shí)現(xiàn)超低VF和較小漏電流的完美組合,更低的正向?qū)▔航礦F,意味著更低的功率損耗,提升系統(tǒng)的...
2022-04-11 標(biāo)簽:電源適配器肖特基二極管瑞能半導(dǎo)體 2034 0
Nexperia推出肖特基二極管 泰國(guó)擴(kuò)展羅德與施瓦茨移動(dòng)頻譜監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
關(guān)鍵半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管,進(jìn)軍大功率碳化硅 (SiC) 二極管市場(chǎng)。這是 Nexpe...
2022-03-28 標(biāo)簽:監(jiān)測(cè)系統(tǒng)肖特基二極管Nexperia 2469 0
安世半導(dǎo)體致力于為中國(guó)汽車半導(dǎo)體保駕護(hù)航
安世半導(dǎo)體展位位于本屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)4.1館(展位號(hào)是4.1A3-002),展臺(tái)面積多達(dá)260平方米,將為觀眾展出汽車、工業(yè)(含5G)、移動(dòng)、計(jì)算機(jī)...
2021-11-04 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管安世半導(dǎo)體 1434 0
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列,提供優(yōu)異效率
新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn),具備出色的開(kāi)關(guān)速度和...
市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,TVS售價(jià)逐年下滑
芯導(dǎo)科技成立于2009年11月,初期產(chǎn)品主要為T(mén)VS(含ESD)等功率器件,后期延伸至MOSFET、肖特基等功率器件以及單節(jié)鋰電池充電芯片、過(guò)壓保護(hù)芯片...
2021-04-19 標(biāo)簽:肖特基二極管功率器件功率半導(dǎo)體 3220 0
深愛(ài)半導(dǎo)體:扎根技術(shù)開(kāi)拓進(jìn)取
公司針對(duì)不同需求有高性價(jià)比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產(chǎn)品,反壓覆蓋200-900V,電流覆蓋0.5-24A。
2021-03-31 標(biāo)簽:LED驅(qū)動(dòng)肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1215 0
場(chǎng)效應(yīng)管廠商:上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司簡(jiǎn)介
韋爾半導(dǎo)體將為數(shù)字世界提供開(kāi)關(guān)器件、信號(hào)放大器件、系統(tǒng)電源及控制方案、系統(tǒng)保護(hù)方案、電磁干擾濾波方案、分立器件 。我們目前有8條產(chǎn)品線:模擬開(kāi)關(guān),音頻功...
2021-04-01 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管肖特基二極管 2822 0
Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管,提升高頻應(yīng)用能效
器件適用于服務(wù)器、電信設(shè)備、UPS和太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域的功率因數(shù)校正(PFC)續(xù)流、升降壓續(xù)流和LLC轉(zhuǎn)換器輸出整流,為設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化提供高靈活性。
肖特基二極管的設(shè)計(jì)與應(yīng)用簡(jiǎn)介
? ? ? ?在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,同步變化的高邊和低邊有源開(kāi)關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開(kāi)關(guān)的此類電路。與使用無(wú)源肖特基二極管作為低...
2020-12-26 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 403 0
用二氧化硅(SiO2)來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng),提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...
2020-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1.0萬(wàn) 0
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