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標簽 > 肖特基勢壘二極管
肖特基勢壘二極管,又稱熱載流子二極管。利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成,有點接觸型和面結合型兩種管芯結構。
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SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基勢壘二極管介紹
SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)是采用小型表貼封裝、實現了寬爬電距離的SiC肖特基勢壘二極管。雖為小型表貼封裝,但通過確保...
隨著科技的不斷進步,工程師和開發人員不斷尋求性能卓越、可靠性強且效率高的元件。東芝的 CRS13 肖特基勢壘二極管憑借其高速開關、低正向壓降和強大的熱性...
東芝研討會解讀肖特基勢壘二極管的特性、選型、使用要點和電路設計的技巧
在開關電源特別是高頻開關電源中,肖特基勢壘二極管可謂是不可缺少的整流高手。肖特基勢壘二極管由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成,作為一種低功耗、超高...
特瑞仕開始提供功率半導體SiC肖特基勢壘二極管850V/10A樣品
特瑞仕半導體是專注于電源IC的模擬CMOS專業集團,Phenitec Semiconductor是特瑞仕半導體的子公司,此產品是由Phenitec Se...
Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 蕭特基勢壘二極管 (SBD)
產品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列,共有十一項 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產品,以及 DIODES DS...
一提到低功耗、大電流、超高速的半導體器件,你會率先想到哪種器件?不少工程師表示,當然是肖特基勢壘二極管了!肖特基勢壘二極管是用其發明人肖特基博士(Sch...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進一步提高效率
由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。
Microchip推出最新一代汽車用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)
Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統效率的同時保持高質量的電動汽車電源設計人員來說,可以最大限度地提高系統的可靠...
ROHM面向車載系統開發出200V耐壓肖特基勢壘二極管“RBxx8BM/NS200”
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內的動力傳動系統等車載系統,開發出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2(以下...
美高森美繼續擴大碳化硅產品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號...
2012年10月10日,德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產品陣容。
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