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標(biāo)簽 > 肖特基
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SiC-SBD的正向特性,與正向電流及溫度的依賴關(guān)系
Si-FRD從正向切換到反向的瞬間會產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流,在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài),從而產(chǎn)生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷...
SiGe在高溫開關(guān)應(yīng)用中的優(yōu)勢及整流器性能分析
電力電子設(shè)備中的分立整流器是決定性的組件,它們會影響效率,可靠性以及諸如EV汽車中“車載充電器”之類的重要部件的尺寸。近年來,碳化硅(SiC)肖特基二極...
半導(dǎo)體的逸出功一般比金屬的小,故當(dāng)金屬與半導(dǎo)體(以N型為例)接觸時,電子就從半導(dǎo)體流入金屬,在半導(dǎo)體表面層內(nèi)形成一個由帶正電不可移動的雜質(zhì)離子組成的空間...
基于FP5207B的音響驅(qū)動電路應(yīng)用設(shè)計
FP5207B是一款大功率異步升壓恒壓芯片,外置N溝MOS驅(qū)動,與肖特基和電感形成回路組成升壓架構(gòu);
肖特基二極管和整流橋是兩種常見的器件,盡管它們在電路中可能會共存,但由于各自的特性和應(yīng)用場景不同,經(jīng)常需要對它們進行區(qū)分以正確選擇和使用。一、基本結(jié)構(gòu)肖...
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