側墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似，側墻工藝是指形成環繞多晶硅的氧化介質層，從而保護LDD 結構，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結構的擴展區。側墻是由兩個主要工藝步驟形...

2024-11-09 標簽：集成電路工藝蝕刻 558 0

半導體蝕刻工藝科普

過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導致表面粗糙。當硅表面在HF過程中暴露于OH離子時，硅表面可能會變得粗糙。

2024-11-05 標簽：硅晶圓蝕刻光刻膠 343 0

濕法蝕刻的發展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間，轉移到沖洗站去除酸，然后轉移到最終...

2024-10-24 標簽：晶圓蝕刻 209 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標簽：光刻蝕刻晶圓制造 1722 0

基于光譜共焦技術的PCB蝕刻檢測

傳統的2D視覺技術已經無法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測。3D成像技術則以其獨特的優勢，輕松地在視野范圍內構建目標物的狀態，無論是斷差還是孔徑...

2024-05-27 標簽：pcb蝕刻光譜 429 0

通信——通過表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品，因為最近的同質外延生長已經產生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進行高速硬X射線檢測，并在硅基本透明的...

2024-04-25 標簽：蝕刻edl 469 0

關于兩種蝕刻方式介紹

干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實地進行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大、且能夠確保蝕刻的非等向性（主要隨材料層的厚度方向進...

2024-04-18 標簽：蝕刻 736 0

半導體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。

2024-03-29 標簽：芯片制造蝕刻單晶硅 3792 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標簽：芯片NAND晶圓 1171 0

細述幾種高效晶體硅太陽能電池技術

一般高效單晶硅電池采用化學腐蝕制絨技術，制得絨面的反射率可達到10％以下。目前較為先進的制絨技術是反應等離子蝕刻技術（RIE），該技術的優點是和晶硅的晶...

2024-03-19 標簽：太陽能電池蝕刻晶體硅 1804 0

半導體硅材料的特性解析

硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態存在。這些化合物在常溫下的化學性質十分穩定。而在高溫下，硅幾乎可以所有物質發生化學反應。

2024-03-15 標簽：晶圓半導體材料蝕刻 3295 0

PCB全制程流程介紹

通過光學反射原理將圖像回饋至設備處理，與設定的邏輯判斷原則或資料圖形相比較，找出缺點位置

2024-03-15 標簽：pcb蝕刻基板 536 0

混合鍵合工藝流程：詳細解讀D2W和W2W的流程

現在對 2 個晶圓進行處理，為粘合做好準備。它們經過 N2 等離子體處理以激活表面。等離子處理改變了表面的特性，以增加表面能并使其更加親水。

2024-03-06 標簽：晶圓蝕刻芯片封裝 5311 0

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

在封裝史上，最后一次重大范式轉變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時起，更先進的封裝形式（例如晶圓級扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進式改進。

2024-02-27 標簽：晶圓芯片設計蝕刻 3685 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調制

在過去的幾年中，MOSFET結構從平面結構改變為鰭型結構(FinFETs ),這改善了短溝道效應，并導致更高的驅動電流泄漏。然而，隨著柵極長度減小到小于...

2024-01-15 標簽：等離子體光纖SiGe 393 0

各種疊層結構的PCB圖內部架構設計

今天畫了幾張多層PCB電路板內部結構圖，用立體圖形展示各種疊層結構的PCB圖內部架構。

2024-01-02 標簽：pcb蝕刻過孔 961 0

半導體的特征及工藝介紹

無可否認，不論是半導體技術還是其產業本身，都已經成為所有市場中最大的產業之一。全球媒體、企業和政府也紛紛把目光投向了半導體工廠的下一個建設地。而每一次的...

2023-12-25 標簽：半導體計算機晶體管 6863 0