混合鍵合工藝流程：詳細解讀D2W和W2W的流程

現(xiàn)在對 2 個晶圓進行處理，為粘合做好準備。它們經(jīng)過 N2 等離子體處理以激活表面。等離子處理改變了表面的特性，以增加表面能并使其更加親水。

2024-03-06 標簽：晶圓蝕刻芯片封裝 4864 0

磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑 氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻率

在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們...

2022-08-30 標簽：半導體工藝蝕刻 4702 0

使用硬掩模進行更精細的硅通孔蝕刻

引言 隨著對多功能移動消費電子設備需求的增加，半導體芯片互連密度的復雜性不斷增加。傳統(tǒng)的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤互連到封裝引線。隨...

2022-06-15 標簽：半導體蝕刻 4644 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標簽：工藝蝕刻硅晶片 4291 0

GaN的晶體濕化學蝕刻工藝詳解

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。1，2干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法...

2022-07-12 標簽：晶體蝕刻GaN 3935 0

濕法蝕刻在硅片減薄中的作用

薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括用于RFID系統(tǒng)的功率器件、分立半導體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)變、垂直系統(tǒng)...

2022-07-05 標簽：工藝蝕刻晶片 3854 0

硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響，制...

2022-04-26 標簽：蝕刻硅晶片 3801 0

半導體器件制造中的蝕刻工藝技術(shù)概述

在半導體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中...

2022-07-06 標簽：集成電路半導體蝕刻 3781 0

蝕刻系統(tǒng)操作條件對晶片蝕刻速率和均勻性的影響

引言 正在開發(fā)化學下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕...

2022-06-29 標簽：半導體蝕刻 3735 0

詳解微機械中的各向異性刻蝕技術(shù)

單晶硅， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是， 除了單晶SI或機械性強之外，還...

2022-04-22 標簽：晶圓蝕刻微機械 3690 0

半導體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。

2024-03-29 標簽：芯片制造蝕刻單晶硅 3630 0

多晶ZnO:Al薄膜的蝕刻特性研究

將ZnO:Al薄膜織構(gòu)化與沉積條件的依賴性分開是優(yōu)化ZnO作為太陽能電池中的光散射、透明接觸的一個重要方面。對于給定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和...

2022-05-23 標簽：薄膜蝕刻晶片 3538 0

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

在封裝史上，最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時起，更先進的封裝形式（例如晶圓級扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進式改進。

2024-02-27 標簽：晶圓芯片設計蝕刻 3502 0

TSV工藝流程與電學特性研究

本文報道了TSV過程的細節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...

2022-06-16 標簽：工藝蝕刻晶片 3395 0

半導體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟，不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁...

2021-12-27 標簽：半導體等離子蝕刻 3251 0

用于Pt濕法蝕刻的鉑薄膜圖案化方案

本文提出了基于濺射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金屬多層膜在熱王水中濕法腐蝕Pt薄膜的簡單制備方案，鉻(Cr)或鈦(Ti)用作鉑的粘附層，Cr在Pt...

2022-05-30 標簽：薄膜蝕刻 3241 0

濕法蝕刻工藝的原理

濕法蝕刻工藝的原理是利用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數(shù)解決方案選擇性大...

2022-07-27 標簽：晶圓工藝蝕刻 3223 0

半導體硅材料的特性解析

硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態(tài)存在。這些化合物在常溫下的化學性質(zhì)十分穩(wěn)定。而在高溫下，硅幾乎可以所有物質(zhì)發(fā)生化學反應。

2024-03-15 標簽：晶圓半導體材料蝕刻 3108 0

一文詳解濕法蝕刻和光刻工藝

本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(D...

2022-07-13 標簽：光刻蝕刻晶片 3097 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。

2022-08-26 標簽：工藝蝕刻硅晶片 2998 0