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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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凸塊制造過程一般是基于定制的光掩模，通過真空濺鍍、黃光、電鍍、蝕刻等環(huán)節(jié)而成，該技術(shù)是晶圓制造環(huán)節(jié)的延伸，也是實(shí)施倒裝（FC）封裝工藝的基礎(chǔ)及前提。
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研...
要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層...
大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子致?lián)p...
一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達(dá)到10％以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)（RIE），該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶...
維護(hù)蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會(huì)使噴射時(shí)產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會(huì)造成蝕刻...
2019-09-10 標(biāo)簽：PCB板PCB設(shè)計(jì)蝕刻 1640 0
PCB生產(chǎn)過程：為什么PCB內(nèi)外層蝕刻方法不一樣
如果單板或拼板的尺寸不合適，PCB生產(chǎn)過程中，就會(huì)產(chǎn)生很多的原料廢邊，PCB板廠會(huì)把之些廢邊的價(jià)格都加到你的板子上，這樣你的PCB板單位價(jià)格就貴一些。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展，要想形成多層結(jié)構(gòu)，將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層，這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積膜。如果...
阻抗的計(jì)算是相對(duì)比較繁瑣的，但我們可以總結(jié)一些經(jīng)驗(yàn)值幫助提高計(jì)算效率。對(duì)于常用的 FR4，50ohm 的微帶線，線寬一般等于介質(zhì)厚度的 2 倍;50oh...
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...
引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶，產(chǎn)生厚度為400納米的均勻損傷表面層，研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度，表明可以通過將...
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。...
共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...
四甲基氫氧化銨水溶液濕蝕刻中AlGaN/AlN摩爾分?jǐn)?shù)關(guān)系
在本文中，我們?cè)敿?xì)研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)蝕刻速率的依賴關(guān)系。我們還研究了氮化鋁摩爾分?jǐn)?shù)差異較大...
維護(hù)PCB蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會(huì)使噴射時(shí)產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會(huì)造...
2019-07-09 標(biāo)簽：pcbPCB設(shè)計(jì)蝕刻 1567 0
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增...
一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長(zhǎng)的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對(duì)氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時(shí)間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化...
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