一種用于硅片超薄化的腐蝕技術

能源被認為是未來五十年人類面臨的頭號問題。據估計，太陽能在一小時內顯示出供給的潛力，其能量足以滿足世界一年的能源需求總量。光伏產業面臨的一個主要挑戰是以...

2022-06-30 標簽：太陽能蝕刻硅片 2552 0

蝕刻系統操作條件對晶片蝕刻速率和均勻性的影響

引言 正在開發化學下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕...

2022-06-29 標簽：半導體蝕刻 3733 0

CLL技術應用于新材料和系統的制造和研究

化學提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標記來繪制功能分子的自組裝單層，應用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...

2022-06-28 標簽：半導體光刻蝕刻 734 0

TSV工藝流程與電學特性研究

本文報道了TSV過程的細節。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究...

2022-06-16 標簽：工藝蝕刻晶片 3394 0

使用硬掩模進行更精細的硅通孔蝕刻

引言 隨著對多功能移動消費電子設備需求的增加，半導體芯片互連密度的復雜性不斷增加。傳統的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤互連到封裝引線。隨...

2022-06-15 標簽：半導體蝕刻 4634 0

硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產生殘余缺陷，導致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學蝕刻方法主要用于生產...

2022-06-14 標簽：集成電路蝕刻晶片 1269 0

硅片減薄蝕刻技術：RIE技術將硅片減薄到小于20微米

引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，從而為家庭消費提供足夠的能量。我們華林科納認為，借助光阱方案，適當鈍化的IBC電池...

2022-06-10 標簽：制造工藝蝕刻 8693 0

蝕刻工藝表征實驗報告研究

初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數是厚度和側壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以...

2022-06-10 標簽：半導體蝕刻 5399 0

InGaP層去除GaAs外延蓋層的選擇性濕法蝕刻工藝

半導體器件的制造工程已使光電儀器、激光二極管和無線通信設備以及許多其他現代設備成為可能。從巴丁、布里泰因和肖克利1947年在貝爾實驗室發明晶體管，到大約...

2022-06-01 標簽：半導體蝕刻晶片 2482 0

通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷

引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術開發過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電...

2022-06-01 標簽：半導體蝕刻 8273 0

用于Pt濕法蝕刻的鉑薄膜圖案化方案

本文提出了基于濺射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金屬多層膜在熱王水中濕法腐蝕Pt薄膜的簡單制備方案，鉻(Cr)或鈦(Ti)用作鉑的粘附層，Cr在Pt...

2022-05-30 標簽：薄膜蝕刻 3237 0

半導體工業中表面處理和預清洗的重要性

半導體工業中表面處理和預清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導體接觸的低電阻，酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對于去除有機殘留...

2022-05-26 標簽：半導體蝕刻清洗 2226 0

KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會...

2022-05-24 標簽：蝕刻晶片溶液 2127 0

多晶ZnO:Al薄膜的蝕刻特性研究

將ZnO:Al薄膜織構化與沉積條件的依賴性分開是優化ZnO作為太陽能電池中的光散射、透明接觸的一個重要方面。對于給定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和...

2022-05-23 標簽：薄膜蝕刻晶片 3529 0

等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案

我們華林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題（從有機硅化合物）的問題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質與精密的表面分...

2022-05-19 標簽：等離子體蝕刻 1988 0

晶片濕法刻蝕技術研究

文介紹了我們華林科納研究了整個濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護的提示，并提出了評估這種保護的相關新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標簽：蝕刻晶片 1211 0

一種基于摩擦誘導選擇性蝕刻的新型納米制備方法

在本研究中，通過對目標區域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發展了一種在石英表面產生三維納米結構的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過各種...

2022-05-13 標簽：納米蝕刻加工 505 0

車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測量實驗

我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測量。數據表明，當使用貨車輪圖案時，存在反應物耗盡效應，這掩蓋了真實的表面反應速率限...

2022-05-11 標簽：晶圓蝕刻測量 403 0

硅結構的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應器中研究了硅結構的深且窄的各向異性蝕刻。我們華林科納以前已經證明了這種技術在這種結構上的可行性。已經研究了蝕刻速率...

2022-05-11 標簽：晶圓蝕刻反應器 1050 0

使用蝕刻掩模材料在InP襯底中實現V形槽

p-i-n光電探測器封裝中最具挑戰性的任務之一是將光纖耦合到探測器。由于探測器和光纖的尺寸都非常小，精確和準確的對準非常關鍵。如今，在大多數情況下，這是...

2022-05-11 標簽：材料蝕刻掩模 936 0