KOH硅濕法蝕刻工藝設計研究

在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300m...

2022-03-28 標簽：工藝蝕刻硅片 2410 0

濕法蝕刻MEMS硅腔的工藝控制

硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強烈依...

2022-03-08 標簽：測試蝕刻晶片 2003 0

關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標簽：半導體晶體化學 2168 0

關于硫酸-過氧化氫-水系統中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影...

2022-01-25 標簽：半導體化學蝕刻 2615 0

半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

引言 用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率...

2022-01-13 標簽：半導體電化學蝕刻 2525 0

蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項...

2022-01-12 標簽：InP技術化學蝕刻 1993 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結合強度內聚能1.89...

2022-01-12 標簽：晶圓單晶蝕刻 1158 0

混合鋁蝕刻劑的化學特性分析

摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化...

2022-01-07 標簽：半導體印刷電路蝕刻 1426 0

多磷酸蝕刻劑的化學特性

摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...

2022-01-07 標簽：化學蝕刻蝕刻工藝 1307 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言 隨著半導體技術的發展，為了在有限的面積內 形成很多器件，技術正在向多層結構發展。要想形成多層結構，會形成比現有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積...

2022-01-05 標簽：pcb半導體晶圓 1233 0

化學蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析

引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結構和精密零件中廣泛使用的...

2021-12-29 標簽：半導體蝕刻蝕刻工藝 2681 0

半導體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導體 引言 半導體器件的制造是從半導體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀 前到現在為止與粒子等雜質的戰斗。半個世紀初，人們已經了 ...

2021-12-29 標簽：芯片半導體蝕刻 2702 0

半導體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優化正電子發射斷層掃描步驟，不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側壁...

2021-12-27 標簽：半導體等離子蝕刻 3251 0

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數，特別是對于常見的清潔技術RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標簽：半導體超聲波蝕刻 1115 0

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學清洗的GaP(OOl)表...

2021-12-22 標簽：半導體蝕刻溶液 2114 0

采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 華林科納

這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢壘凹陷應用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設備功率設置的優化...

2021-12-13 標簽：蝕刻GaN蝕刻工藝 2668 0

四甲基氫氧化銨水溶液濕蝕刻中AlGaN/AlN摩爾分數關系

在本文中，我們詳細研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分數對蝕刻速率的依賴關系。我們還研究了氮化鋁摩爾分數差異較大...

2021-12-13 標簽：芯片摩爾定律電化學 1571 0

淺談pcb蝕刻制程及蝕刻因子

1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學反應而移除多余材料的技術。PCB線路板生產加工對蝕刻質量的基本要求就是能夠將除抗蝕層下面以外的所有銅層完全去除干凈，...

2021-04-12 標簽：pcb阻抗蝕刻 3.9萬 0