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鐵電存儲器

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鐵電存儲器簡介

　　鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。由于鐵電存儲器不像動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）一樣密集（即在同樣的空間中不能存儲像它們一樣多的數(shù)據(jù)），它很可能不能取代這些技術(shù)。然而，由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲，它有望在消費者的小型設(shè)備中得到廣泛地應(yīng)用，比如個人數(shù)字助理（PDA）、手機、功率表、智能卡以及安全系統(tǒng)。鐵電存儲器（FRAM）比閃存更快。在一些應(yīng)用上，它也有可能替代電可擦除只讀存儲器（EEPROM）和靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM），并成為未來的無線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。

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鐵電存儲器知識

舜銘存儲鐵電存儲器SF24C512(MB85RS512)工廠自動化系統(tǒng)機器人HMI中的應(yīng)用

舜銘存儲鐵電存儲器SF24C512(MB85RS512)工廠自動化系統(tǒng)機器人HMI中的應(yīng)用

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富士通鐵電白皮書，選擇鐵電存儲的4點理由以及技術(shù)原理分析

鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。

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鐵電存儲器和憶阻器的區(qū)別

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與憶阻器（Memristor）是兩種不同類型的存儲技術(shù)，它們

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鐵電存儲器和Flash的區(qū)別

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工

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鐵電存儲器有哪些優(yōu)缺點

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲器技術(shù)，憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場

2024-09-29 標(biāo)簽： FlaSh fram 鐵電存儲器 935 0
鐵電存儲器的結(jié)構(gòu)特點

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲特性的存儲技術(shù)

2024-09-29 標(biāo)簽：存儲技術(shù) fram 鐵電存儲器 400 0
誰是DRAM的替代者？下一代DRAM，關(guān)注什么？

長期以來，人們一直期望持久內(nèi)存會帶來計算范式的轉(zhuǎn)變，但這不太可能很快發(fā)生。

2024-02-25 標(biāo)簽： CMOS DRAM 人工智能 951 0
鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常

2024-01-23 標(biāo)簽： FlaSh 存儲器 fram 5246 0
什么是FRAM？關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標(biāo)簽：閃存 EEPROM fram 2855 0
鐵電存儲器PB85RS2MC在汽車安全氣囊系統(tǒng)中的應(yīng)用

目前汽車安全氣囊系統(tǒng)引入了兩項主要的創(chuàng)新技術(shù)：第一，安全氣囊系統(tǒng)增加了“智能性”，新系統(tǒng)是根據(jù)事故和乘客的具體參數(shù)來決定

2023-07-20 標(biāo)簽：存儲器 ecu fram 687 0

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