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閃存芯片

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主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是“閃動的存儲器”,通常把它稱作“快閃存儲器”,簡稱“閃存”。閃存盤是一種移動存儲產(chǎn)品,可用于存儲任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶,是個人的“數(shù)據(jù)移動中心”。

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閃存芯片資訊

三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日報道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。

2018-07-13 標(biāo)簽:三星電子閃存芯片 3991 0

閃存芯片分類及決定因素

什么是閃存芯片 主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是“閃動的存儲器”,通常把它稱作“快閃存儲器”,簡稱“閃存”。閃存盤是...

2021-07-13 標(biāo)簽:閃存芯片 3966 0

東芝宣布正開發(fā)最高容量的閃存芯片,將有5倍的提升

東芝宣布已經(jīng)進(jìn)行開發(fā)擁有當(dāng)前最高容量的閃存芯片原型,單顆芯片就能有著 1.33Tb(或 166GB)的容量??這是利用他們的 96 層 QLC 3D N...

2018-08-13 標(biāo)簽:東芝閃存芯片 3884 0

三星電子閃存芯片項目落戶西安 第二階段投資達(dá)80億美元

從“尚未決定”到“最終落戶”,三星電子第二階段二期投資終于落戶西安。據(jù)最新消息,三星電子在西安的閃存芯片項目二期投資80億美元落地。在今年5月份,三星電...

2019-12-16 標(biāo)簽:三星電子閃存芯片 3864 0

日本東芝擬出售在美LNG業(yè)務(wù),2018年閃存芯片價格指數(shù)已累計下滑57%

據(jù)報道,高通正式宣布與三星合作開發(fā)5G小型基站,并且與愛立信利用手機大小的終端完成了全球首個6GHz以下5G OTA呼叫。這意味著,技術(shù)對于5G終端的商...

2018-10-26 標(biāo)簽:臺積電閃存芯片無線充電 3854 0

美光計劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況,美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的...

2018-12-21 標(biāo)簽:NAND閃存芯片美光 3697 0

三星的UFS4.0閃存芯片預(yù)計第三季度正式量產(chǎn)

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三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù),傳輸帶寬每通道達(dá)到23.2Gbps,相較UFS3.1提升一倍,順序讀取速度可以達(dá)到4200MB...

2022-05-05 標(biāo)簽:NAND閃存芯片三星 3685 0

紫光集團(tuán)表示已掌握極具競爭力的芯片技術(shù) 其中32層3DNAND閃存芯片將在第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)

8月23日,紫光集團(tuán)董事長趙偉國在重慶出席首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(簡稱“智博會”)時表示,芯片是IT及通信產(chǎn)業(yè)的基石,同時也是智能產(chǎn)業(yè)的源頭,紫光集...

2018-08-24 標(biāo)簽:芯片閃存芯片紫光 3381 0

“中國芯”國際地位要提高 長江存儲要用5年時間達(dá)到世界水平

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目前,全球存儲器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國企業(yè)手中,屬于相對壟斷市場。去年6月,三星宣布64層NAND閃存開始大規(guī)模量產(chǎn)。這些技術(shù)和產(chǎn)品,將推動以...

2018-04-17 標(biāo)簽:nand閃存芯片長江存儲 3321 0

明年長江存儲將實現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國產(chǎn)存儲芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進(jìn)去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報道,今年一季度,紫光旗下的...

2019-10-29 標(biāo)簽:閃存芯片存儲芯片 3283 0

鎧俠宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片 寫速將是UFS 3.0的2~3倍

昨日,iQOO 3 5G首發(fā)UFS 3.1閃存,調(diào)試信息顯示芯片顆粒來自三星。

2020-02-26 標(biāo)簽:東芝存儲技術(shù)閃存芯片 2980 0

鎧俠宣布10月起,兩家工廠閃存芯片的晶圓投入量削減30%

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 2022年9月30日,鎧俠發(fā)布通知表示將對閃存生產(chǎn)進(jìn)行調(diào)整。公司從10月起將其兩家日本工廠(Yokkaichi與Kitakami)用于...

2022-10-08 標(biāo)簽:閃存芯片鎧俠減產(chǎn) 2844 0

SK海力士將收購英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉,SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù),包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠,但不包含英特爾Opta...

2020-11-16 標(biāo)簽:芯片NAND閃存芯片 2658 0

主板原材料集體漲價,導(dǎo)致主板成本至少增加10-20元

由于主板原材料報價集體飆升,其中電容最貴漲了30倍,最后導(dǎo)致主板終于也要漲價了,據(jù)悉一塊主板的成本目前至少增加了10-20元。

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消息稱三星一季度開始發(fā)起閃存芯片降價 或引發(fā)業(yè)內(nèi)價格戰(zhàn)

閃存和內(nèi)存萎靡快兩年了,從多個DRAM芯片、模組廠商釋放的信號來看,內(nèi)存很快將止跌并迎來上漲,閃存的情況則例外。 最新消息稱,三星電子最快從今年一季度開...

2021-01-14 標(biāo)簽:三星電子閃存芯片DRAM芯片 2043 0

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn),填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白

位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進(jìn)場安裝,這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國首批擁有完全自主知識...

2018-06-20 標(biāo)簽:NAND存儲器閃存芯片 2010 0

關(guān)于東芯半導(dǎo)體股份有限公司輔導(dǎo)工作總結(jié)報告

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東芯半導(dǎo)體由上海聞起投資有限公司、CHARM TEK DEVELOPMENT HK CO.,LIMITED (簡稱“C.D 香港”)共同出資組建,其中聞...

2020-10-12 標(biāo)簽:閃存芯片東芯半導(dǎo)體哈勃科技 1987 0

閃迪宣布投產(chǎn)新工藝的NAND閃存芯片

SanDisk(閃迪)宣布,已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片,并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。

2020-07-24 標(biāo)簽:NAND閃存芯片閃迪 1931 0

長江存儲推消費級固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000

2022年4月8日,長江存儲推出新款消費級固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000。

2022-04-10 標(biāo)簽:接口閃存芯片長江存儲 1798 0

Kioxia獲得許可向華為出口部分產(chǎn)品

據(jù)國外媒體報道,日本芯片供應(yīng)商鎧俠(Kioxia)已經(jīng)獲得美國當(dāng)局許可,可向華為出口部分產(chǎn)品。

2020-12-04 標(biāo)簽:華為服務(wù)器閃存芯片 1772 0

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    OMAP-L138是美國德州儀器(TI)推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ,這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 (DSP) + ARM9處理器,大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度,可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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