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標簽 > 閃存芯片
主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是“閃動的存儲器”,通常把它稱作“快閃存儲器”,簡稱“閃存”。閃存盤是一種移動存儲產品,可用于存儲任何格式數據文件便于隨身攜帶,是個人的“數據移動中心”。
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NOR Flash主要用來存儲代碼及少量數據,近幾年因5G、IoT、TWS耳機、AMOLED屏幕、TDDI等市場快速發展而備受重視。 NOR Flash...
閃存和內存萎靡快兩年了,從多個DRAM芯片、模組廠商釋放的信號來看,內存很快將止跌并迎來上漲,閃存的情況則例外。 最新消息稱,三星電子最快從今年一季度開...
長江存儲即將試產第一批 192 層 3D NAND 閃存芯片
長江存儲計劃今年把產量提高一倍,計劃到下半年將每月的存儲芯片產量提高到 10 萬片晶圓,約占全球總產量的 7%。并準備試產 192 層 NAND 快閃記...
據悉,SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業務,包括固態硬盤業務、NAND閃存芯片產品和晶圓業務、英特爾位于中國大連的生產工廠,但不包含英特爾Opta...
SanDisk(閃迪)宣布,已于去年底開始投產19nm新工藝的NAND閃存芯片,并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。
道內存是高頻率快速的存儲器件,通電工作,斷電則所有數據清空。閃存內類似于硬盤,屬于容數據存儲模塊,不需加點也可以保存數據完整。
三星西安高新區二期項目第二階段開工 建成后將新增產能每月13萬片
據西安新聞網報道,截至3月底,西安43個先進制造業重點項目完成投資144.53億元,占年計劃投資的29.6%。產業項目加速推進,其中,三星二期一階段項目...
電子發燒友網報道長江存儲4月13日重磅發布兩款128層3D NAND產品引起業界高度關注,其中128層QLC產品為目前業內發布的首款單顆Die容量達1....
鎧俠宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片 寫速將是UFS 3.0的2~3倍
昨日,iQOO 3 5G首發UFS 3.1閃存,調試信息顯示芯片顆粒來自三星。
從“尚未決定”到“最終落戶”,三星電子第二階段二期投資終于落戶西安。據最新消息,三星電子在西安的閃存芯片項目二期投資80億美元落地。在今年5月份,三星電...
國產存儲芯片終于“抬起了頭”。 在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據報道,今年一季度,紫光旗下的...
中國首款64層三維閃存芯片發布 中國邁出打破美日韓壟斷的關鍵一步
紫光集團旗下長江存儲近日宣布,已開始量產基于自主研發Xtacking架構的64層三維閃存(3DNAND),容量為256Gb,以滿足固態硬盤(SSD)嵌入...
2019-10-08 標簽:閃存芯片 1061 0
紫光集團在5G領域還展出了從芯到云的多款相關產品與解決方案,包括紫光國微與5G基站網絡相匹配的FPGA產品及解決方案,以及紫光集團旗下新華三從ORAN架...
美光計劃削減12.5億美元的資本支出,減少內存及閃存芯片的產量
美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示,為了適應當前市場的狀況,美光將減少DRAM內存及NAND閃存芯片的產量。根據美光的...
日本東芝擬出售在美LNG業務,2018年閃存芯片價格指數已累計下滑57%
據報道,高通正式宣布與三星合作開發5G小型基站,并且與愛立信利用手機大小的終端完成了全球首個6GHz以下5G OTA呼叫。這意味著,技術對于5G終端的商...
近年來,由于用于智能手機、數據中心的存儲芯片快速升級,閃存芯片的需求出現了持續增長,導致閃存芯片持續供不應求。閃存市場價格不斷上漲,經過一年半的飆升后,...
2018-10-23 標簽:閃存芯片 1298 0
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