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閃存芯片

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主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是“閃動的存儲器”,通常把它稱作“快閃存儲器”,簡稱“閃存”。閃存盤是一種移動存儲產(chǎn)品,可用于存儲任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶,是個(gè)人的“數(shù)據(jù)移動中心”。

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閃存芯片資訊

東芝將新建NAND閃存芯片工廠

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2011年全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元

據(jù)媒體報(bào)道,根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù),2011年第四季度全球第四季度...

2012-02-07 標(biāo)簽:NAND閃存芯片 696 0

三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數(shù)紀(jì)錄

三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND (3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236層第八代V-NA...

2024-04-18 標(biāo)簽:NAND閃存芯片三星 686 0

如何提升閃存芯片廠商的競爭力

此外,三星和SK 海力士在今年下半年開始也逐漸生產(chǎn)176 層閃存的產(chǎn)品。不過與美光科技相比,這兩家廠商的176層閃存技術(shù)主要還是會應(yīng)用在消費(fèi)級產(chǎn)品中。鎧...

2022-10-17 標(biāo)簽:服務(wù)器終端閃存芯片 674 0

三星閃存芯片項(xiàng)目選址西安 一期投資70億美元

  22日從西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)獲悉,韓國三星電子公司當(dāng)日宣布,其擬在中國大陸建設(shè)的閃存芯片項(xiàng)目已經(jīng)選址西安市。

2012-03-23 標(biāo)簽:三星電子閃存芯片 646 0

今年NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長8%

今年NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長8%

今年全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長8%,從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業(yè)收入預(yù)期,全球出貨量相當(dāng)于28823個(gè)1GB器件,...

2012-04-24 標(biāo)簽:nand閃存芯片nand閃存 642 0

東芝閃存子公司擬發(fā)優(yōu)先股拯救母公司

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2017-02-06 標(biāo)簽:東芝閃存芯片 628 0

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片。

2024-04-17 標(biāo)簽:閃存芯片NAND閃存人工智能 624 0

智能機(jī)閃存芯片需求激增 4大供應(yīng)商考慮漲價(jià)

據(jù)臺灣媒體報(bào)道,由于智能機(jī)領(lǐng)域?qū)﹂W存芯片的需求量激增,世界前四大閃存芯片供應(yīng)商,三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會提高其產(chǎn)品價(jià)格。

2012-09-24 標(biāo)簽:智能手機(jī)閃存芯片 623 0

三星計(jì)劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%

根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價(jià),移動DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等...

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SSD的漲幅將有多大?企業(yè)級SSD合同價(jià)格上漲約18%-23%

科技媒體Tom's Hardware報(bào)道,由于關(guān)鍵閃存芯片緊缺,SSD(固態(tài)硬盤)的價(jià)格將在本季度晚些時(shí)候“飛漲”,尤其是大容量消費(fèi)級產(chǎn)品。

2024-01-25 標(biāo)簽:NANDSSD閃存芯片 575 0

存儲巨頭或再度減產(chǎn) 目標(biāo)年底庫存降至健康水位

DDR4是較為常見、主流的DRAM產(chǎn)品。市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢9月13日的報(bào)告指出,本周低價(jià)位DRAM芯片的現(xiàn)貨價(jià)格開始上升,整體DRAM現(xiàn)貨價(jià)格有所企穩(wěn),現(xiàn)...

2023-09-18 標(biāo)簽:閃存芯片DRAM芯片DDR4 562 0

科賦發(fā)布CRAS C925固態(tài)硬盤,PCIe Gen4x4 規(guī)格

科賦CRAS C925采用無外部緩存HMB設(shè)計(jì),搭載聯(lián)蕓MAP 1602主控與3D TLC閃存芯片,具備500GB、1TB及2TB三種存儲容量選擇。

2024-04-16 標(biāo)簽:閃存芯片固態(tài)硬盤HMB 545 0

至訊創(chuàng)新量產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小512Mb工業(yè)級NAND閃存芯片

近日,國內(nèi)領(lǐng)先的存儲芯片企業(yè)至訊創(chuàng)新科技(無錫)有限公司宣布了一項(xiàng)重要突破,成功量產(chǎn)了512Mb高可靠性工業(yè)級2D NAND閃存芯片。這款芯片的推出,不...

2024-07-04 標(biāo)簽:NAND閃存芯片存儲芯片 525 0

三星電子將12月3D NAND報(bào)價(jià)調(diào)漲10%

據(jù)臺媒電子時(shí)報(bào)報(bào)道,相關(guān)供應(yīng)鏈業(yè)內(nèi)人士透露,三星內(nèi)部消息稱,12月有部分中國客戶接受漲價(jià)。

2023-01-11 標(biāo)簽:NAND閃存芯片存儲芯片 318 0

影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?

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2025-01-08 標(biāo)簽:閃存芯片華芯邦 64 0

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