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標簽 > 閘極驅動器
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Diodes推出專為IGBT設計的ZXGD3006E6閘極驅動器
Diodes公司推出專為開關高功率IGBT設計的ZXGD3006E6閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的...
2011-07-06 標簽:DiodesIGBTZXGD3006E6 1445 0
Diodes新系列高側/低側閘極驅動器采用 SO-8封裝以提供更高效能
Diodes公司推出全新系列的高電壓、高速閘極驅動器,適用于轉換器、變頻器、馬達控制,以及 D 類功率放大器等應用。
德州儀器 (TI) 宣佈針對絕緣閘雙極性電晶體 (insulated-gate bipolar transistors;IGBT) 與MOSFET推出...
WPT實現高效率的一個主要障礙是電池的熱極限。通常,電池需要恒定的電壓和電流輸入來充電,但這會將電池加熱到危險的程度。
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