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標(biāo)簽 > 集成電路制造
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集成電路作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心,其制造水平直接關(guān)系到電子產(chǎn)品的性能和可靠性。隨著摩爾定律的推進(jìn),集成電路的特征尺寸不斷縮小,制造工藝日趨復(fù)雜。在這一背景...
成功開發(fā)超厚介質(zhì)膜的淀積和刻蝕工藝、超厚金屬銅的電鍍和化學(xué)機械研磨等工藝,采用與 CMOS 完全兼容的銅互連單大馬士革工藝制作了超厚金屬銅集成電感。該超...
國產(chǎn)襯底片的發(fā)展在雙極型集成電路制造中的應(yīng)用詳細(xì)資料概述
隨著國產(chǎn)襯底的生產(chǎn)工藝和控制能力的不斷提升,國產(chǎn)襯底的應(yīng)用也越來越廣。作者就國產(chǎn)襯底在雙極型集成電路制造中普遍關(guān)心的問題做了全面的評估,包括物理參數(shù)、電...
工藝參數(shù)對微溝槽缺陷形成的影響并改進(jìn)微溝槽缺陷
隨著集成電路密度的不斷提高,多晶硅柵的線寬不斷變小,柵氧化層的厚度繼續(xù)變薄,多晶硅的刻蝕變得越來越關(guān)鍵。多晶硅柵的形貌控制,柵氧化層二氧化硅的損失等關(guān)鍵...
2017-12-20 標(biāo)簽:集成電路制造反應(yīng)離子刻蝕 4592 0
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