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標簽 > 集成電路
集成電路是一種微型電子器件或部件。把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然后封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構;其中所有元件在結構上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。
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多年來,3D IC技術已從初始階段發展成為一種成熟的主流制造技術。EDA行業引入了許多工具和技術來幫助設計采用3D IC路徑的產品。最近,復雜的SoC實...
半導體器件在光照和電偏壓等外界條件作用下會產生非平衡載流子。非平衡載流子的壽命對半導體器件性能有關鍵性影響,例如,光伏和發光器件的效率、電子器件的開關速...
近日,他開發出一種全新的聲流控技術——立體聲流技術(Stereo acoustic streaming,SteAS)。該技術可實現對低至30nm的聚苯乙...
近日,北京大學電子學院、納米器件物理與化學教育部重點實驗室胡又凡課題組以碳納米管網絡薄膜作為半導體材料,構建了包含柔性傳感器、傳感界面電路和存儲陣列的集...
提供了一系列三維堆疊設計流程,通過將二維芯片網表分解成雙層的三維堆疊結構,用戶可以探索三維堆疊裸片系統相對于傳統二維設計的性能優勢,改善內存延遲,實現性能突破。
半導體材料市場研究和咨詢公司TECHCET發布預測,2022年硅片市場(包括SOI晶圓)將同比增長12%,達到160億美元,出貨面積將同比增長6%,創歷史新高。
集成電路中的有源區、柵、接觸孔、金屬互連線等關鍵部位的大小和間距等關鍵參數稱為特征尺寸,具備某一系列特征尺寸的技術稱為技術節點或技術代,如20世紀的0....
在高速數字電路中,當數字集成電路加電工作時,它內部的門電路輸出會發生從高到低或者從低到高的狀態轉換,即”0″和”1″間的轉換。在變化的過程沖,門電路中的...
NBTI是指在較高溫度和負偏壓下,pMOS界面處的Si-H鍵斷裂產生界面陷阱,柵氧化層陷阱也會俘獲空穴,這些都會引起pMOS閾值電壓漂移,導致電路因時序...
隨著集成電路工藝進入納米尺度,集成電路制造面臨日益嚴重的挑戰。例如,采用193nm波長光源的亞波長光刻導致硅片圖形嚴重畸變,化學機械拋光工藝導致互連線在...
在信號處理領域中,對于信號處理的實時性、快速性的要求越來越高。而在許多信息處理過程中,如對信號的過濾、檢測、預測等,都要廣泛地用到濾波器。
穩壓二極管主要用來構成直流穩壓電路這種直流穩壓電路結構簡單,穩壓性能一般。圖所示是穩壓二極管構成的典型直流穩壓電路。電路中,VD1是穩壓二極管,Rl是V...
物理設計工具的作用是采用自動布局布線技術或人工編輯的方法實現集成電路的版圖設計。
在單位面積內集成更多的晶體管就需要將晶體管做的更小,幾十年來,在摩爾定律的推動下,晶體管的特征尺寸從毫米級到微米級再到納米級,尺寸縮小了百萬倍。今天,在...
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