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非易失性

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非易失性資訊

中芯國際獲非易失性存儲裝置及其制作方法專利

該專利涉及一種新型非易失性存儲裝置及其制作工藝。具體而言，其步驟如下：首先，制備包含器件區(qū)與非器件區(qū)的基底；接著，在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材...

2024-05-06 標(biāo)簽：存儲非易失性電極材料 382 0

ADI推出非易失性數(shù)字電位計(jì)AD512x和AD514x

(ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最近推出一系列非易失性單通道、雙通道和四通道數(shù)字電位計(jì)(digiPOT)AD512x和AD514x

2012-11-12 標(biāo)簽：ADI 非易失性數(shù)字電位計(jì) 1601 0

Ramtron推出最低功耗非易失性存儲器FM25P16

Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)...

2012-02-07 標(biāo)簽：存儲器 Ramtron 非易失性 1339 0

上海“非易失性存儲器”研究躋身國際先進(jìn)水平

“非易失性存儲器”作為新一代國際公認(rèn)存儲技術(shù)，越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領(lǐng)域的研究已...

2011-11-08 標(biāo)簽：存儲器非易失性 867 0

賽普拉斯推出串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用

2011-04-06 標(biāo)簽：賽普拉斯存儲器非易失性 1632 0

非易失性控制器DSl210芯片的功能及引腳圖

DSl210芯片的主要功能　　DSl210電源監(jiān)控芯片是采用CMOS工藝制作的電源監(jiān)控器件，可以對微處理器系統(tǒng)的供電電源進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)視。DSl210...

2010-08-25 標(biāo)簽：非易失性 DSl21 2144 0

基于DSl210的微處理器存儲系統(tǒng)電源監(jiān)視電路的基本設(shè)計(jì)

　　本文對非易失性控制器芯片DSl210的主要性能進(jìn)行了介紹，并給出了利用DSl2lO芯片設(shè)計(jì)微處理器存儲系統(tǒng)電源監(jiān)視電路的基本設(shè)計(jì)方法。　　l D...

2010-08-25 標(biāo)簽：非易失性 DSl21 785 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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