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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電阻
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mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1907 0
PWM(Pulse Width Modulation,脈沖寬度調(diào)制)是一種常見(jiàn)的電子控制技術(shù),廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明、電源管理等領(lǐng)域。在PWM驅(qū)...
2024-08-08 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)驅(qū)動(dòng)電阻 664 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的正常工作至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)重要組成部分是...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電阻 1373 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法主要涉及到對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中電阻值的測(cè)量,以確保其符合設(shè)計(jì)要求,從而保障MOS管的正常工作。簡(jiǎn)單介紹幾種常見(jiàn)的測(cè)試方法,并給出相應(yīng)的...
2024-07-23 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 1308 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響,這些影響涉及開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小影響...
2024-07-23 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 2769 0
工作頻率為300 kHz的汽車(chē)LED驅(qū)動(dòng)器
本應(yīng)用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓?fù)渲衅骄?LED 電流的依賴(lài)性來(lái)源。由于其設(shè)計(jì)工作在低于 150 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率,因此本文檔將介紹如何使用...
2024-01-30 標(biāo)簽:led電流驅(qū)動(dòng)電阻 331 0
這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 8738 0
對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能; 獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù); 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適; 開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩;
1、電氣間隙:兩相鄰導(dǎo)體或一個(gè)導(dǎo)體與相鄰電機(jī)殼表面的沿空氣測(cè)量的最短距離。 2、爬電距離:兩相鄰導(dǎo)體或一個(gè)導(dǎo)體與相鄰電機(jī)殼表面的沿絕絕緣表面測(cè)量的最短距離。
2023-10-17 標(biāo)簽:pcb運(yùn)算放大器emc 914 0
MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算
在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。
類(lèi)別:實(shí)用工具 2021-10-22 標(biāo)簽:并聯(lián)MOS管電源開(kāi)關(guān) 1133 0
MOS管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇立即下載
類(lèi)別:電子教材 2016-01-13 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 1695 0
mos管門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電阻計(jì)算立即下載
類(lèi)別:模擬數(shù)字 2012-12-30 標(biāo)簽:mos管驅(qū)動(dòng)電阻門(mén)級(jí) 1391 0
類(lèi)別:電源技術(shù) 2011-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻 2052 0
博世推出EG120電流源門(mén)極驅(qū)動(dòng)方案
眾所周知,博世擁有高性能SiC ,但是因?yàn)镾iC的可靠性問(wèn)題和一致性問(wèn)題始終困擾著眾多研發(fā)人員,那么應(yīng)該如何更好的發(fā)揮SiC的性能呢?
三極管開(kāi)關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電阻怎樣選?
三極管開(kāi)關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電阻怎樣選? 三極管開(kāi)關(guān)電路是一種常見(jiàn)的電路設(shè)計(jì),常用于電子器件的驅(qū)動(dòng)和控制。在這種電路中,一個(gè)三極管被用作電子開(kāi)關(guān),通過(guò)控制其輸入信...
2023-11-23 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電阻 1381 0
三極管是一種電流控制器件,可以作為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),經(jīng)常被用于開(kāi)關(guān)電路當(dāng)中,通過(guò)輸入信號(hào)來(lái)控制三極管的導(dǎo)通與斷開(kāi),進(jìn)而接通和切斷電路。
2020-03-28 標(biāo)簽:三極管驅(qū)動(dòng)電阻 6744 0
關(guān)于MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的選擇
L為PCB走線電感,根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm,考慮其他走線因素,取L=Length+10(nH),其中Length單位取mm。
2012-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻 1.9萬(wàn) 0
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