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      標簽　>　驍龍835

      驍龍835

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      驍龍835（一般指高通驍龍處理器）是一款于2017年初由高通廠商研發的支持Quick Charge 4.0快速充電技術的手機處理器。

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      驍龍835簡介

      　　驍龍835（一般指高通驍龍處理器）是一款于2017年初由高通廠商研發的支持Quick Charge 4.0快速充電技術的手機處理器。

      　　制程工藝

      　　高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。［1］ 2016年10月，三星宣布率先在業界實現了10納米 FinFET工藝的量產。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。制程工藝的提升與更先進的芯片設計相結合，預計將會提升電池續航。

      驍龍835百科

      　　驍龍835（一般指高通驍龍處理器）是一款于2017年初由高通廠商研發的支持Quick Charge 4.0快速充電技術的手機處理器。

      　　性能

      　　制程工藝

      　　高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。［1］ 2016年10月，三星宣布率先在業界實現了10納米 FinFET工藝的量產。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。制程工藝的提升與更先進的芯片設計相結合，預計將會提升電池續航。

      　　核心

      　　驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，并采用八核設計。驍龍835將采用10nm八核心設計，大小核均為Kryo280架構，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內存，整合了Cat.16基帶。

      　　快速充電

      　　新的驍龍835處理器，支持Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的芯片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計。

      　　Quick Charge 4.0快充技術充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，適配范圍更廣泛。

      　　效率提升

      　　高通并未公布驍龍835的更多信息，但表示10nm工藝將會帶來更好的性能，提升功率效率，作為對比高通驍龍820基于14nm制造工藝打造。［1］ 三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%。

      　　內存帶寬

      　　驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運存，帶寬提升明顯。

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