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2SC5200

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2SC5200是東芝半導(dǎo)體公司推出的NPN型三重?cái)U(kuò)散硅晶體管。2SC5200具備體積小、重量輕、耐震動(dòng)、壽命長(zhǎng)，耗電小五大優(yōu)點(diǎn)。

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2SC5200簡(jiǎn)介

　　2SC5200是東芝半導(dǎo)體公司推出的NPN型三重?cái)U(kuò)散硅晶體管。

　　2SC5200具備體積小、重量輕、耐震動(dòng)、壽命長(zhǎng)，耗電小五大優(yōu)點(diǎn)。此外，在功率放大器運(yùn)用方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：一、高擊穿電壓最小值達(dá)230 V；二、適用于100W高保真音響放大器輸出；三、性能兼容2SA1943，功能與2SA1943相輔相成。

　　相比傳統(tǒng)的半導(dǎo)體電子管，2SC5200是新型的NPN型三重?cái)U(kuò)散硅晶體管，在安全性及可靠性方面有非常大的進(jìn)步。2SC5200受溫度影響比較大，儲(chǔ)存的溫度范圍在55 °C 到 150°C之間，工作溫度極限為 150°C。在不同的測(cè)試條件下，2SC5200表現(xiàn)出非常好的穩(wěn)定性。當(dāng)測(cè)試條件VCE = 5 V、IC = 1 A時(shí)，過(guò)渡頻率為30 MHz；當(dāng)測(cè)試條件VCB=10 V、IE=0時(shí)，過(guò)渡頻率為1MHz且電極輸出電容最大值達(dá)200 pF；當(dāng)測(cè)試條件VCE=5 V、IC = 7 A時(shí)，基極發(fā)射極電壓最大值達(dá)1.5V；當(dāng)測(cè)試條件 IC=8 A、IB=0.8 A時(shí)，集電極發(fā)射極飽和電壓為3.0 V。

　　基本參數(shù)

　　最小直流電流增益（hFE）：80 @ 1A， 5V
　　Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 800mA， 8A
　　轉(zhuǎn)換頻率：30MHz
　　電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：230V
　　集電極電流：15A
　　功率特性：中功率
　　頻率特性：中頻
　　極性：NPN型
　　結(jié)構(gòu) ：點(diǎn)接觸型
　　材料：硅（Si）

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2sc5200技術(shù)

2sc5200帖子

基于2SC5200 Tr的600 WATTS低音炮放大器

標(biāo)簽：放大器晶體管 2SC5200 1711 1

2sc5200資料下載

2SA1943/2SC5200功放管手冊(cè)立即下載

類別：音視頻類 2024-09-04 標(biāo)簽：音頻功放管 2SC5200 831 0

使用晶體管2SC5200的低音炮放大器立即下載

類別：電子資料 2022-08-03 標(biāo)簽：放大器 pcb 晶體管 1312 0

2sc5200資訊

采用LM1875及2SA1943/2SC5200的25W x

電路如圖1所示，芯片IC采用美國(guó)NS公司的LM1875，它具有音色柔美，失真低（0.015%），在小功率時(shí)頗有名機(jī)風(fēng)范

2006-04-17 標(biāo)簽：率放大器采用LM 2SC5200 6748 0

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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門(mén)設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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靜電防護(hù)

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。

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