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標簽 > 3DIC
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數(shù)字經(jīng)濟已成為繼農(nóng)業(yè)經(jīng)濟、工業(yè)經(jīng)濟之后的主要經(jīng)濟形態(tài)。算力作為數(shù)字經(jīng)濟的核心生產(...
Cadence分析 3D IC設計如何實現(xiàn)高效的系統(tǒng)級規(guī)劃
Cadence Integrity 3D-IC 平臺是業(yè)界首個全面的整體 3D-IC 設計規(guī)劃、實現(xiàn)和分析平臺,以全系統(tǒng)的視角,對芯片的性能、功耗和面積...
對于我國的半導體行業(yè)來說,碳納米管+RRAM+ILV 3DIC是一個值得關(guān)注的領(lǐng)域。目前碳納米管+RRAM+ILV 3DIC是否能真正成為下一代標準半導...
3D IC- 將3D模塊和內(nèi)插器集成能成為產(chǎn)業(yè)潮流,這就是最大的原因。當前,一個流行的應用案例是將高帶寬存儲器與處理器并排結(jié)合在一起,在DRAM堆棧和主...
追求更小尺寸,3DIC將獲得廣泛應用?什么h是3DIC?傳感器該如何使自己更“苗條”
在不同的芯片或技術(shù)組合中,TSV技術(shù)還能提供更高水平的靈活度,例如采用45奈米制程的數(shù)字芯片中的芯片至芯片堆棧,以及在模擬晶圓(例如180nm)中,微機...
在20nm制程前期,是否有聽過“摩爾定律終將失效”、“傳統(tǒng)2D縮放在先進制程是行不通的”這些論述?但在實際中,又看到了什么呢?事實與這些預測大相徑庭。
它不僅能解決整體系統(tǒng)吞吐量擴展限制的問題和時延問題,而且直接應對先進節(jié)點芯片性能方面的最大瓶頸問題——互連。事實上,UltraScale架構(gòu)能夠從布線、...
賽靈思ASIC級UltraScale架構(gòu)要素及相關(guān)說明
ASIC級UltraScale架構(gòu)要素包括海量數(shù)據(jù)流、高度優(yōu)化的關(guān)鍵路徑、增強型DSP子系統(tǒng)、3D IC芯片間帶寬、海量I/O和存儲器帶寬...
2.5D硅中介層(Interposer)晶圓制造成本有望降低。半導體業(yè)界已研發(fā)出標準化的制程、設備及新型黏著劑,可確保硅中介層晶圓在薄化過程中不會發(fā)生厚...
Cadence攜手臺積公司,推出經(jīng)過其A16和N2P工藝技術(shù)認證的設計解決方案,推動 AI 和 3D-IC芯片設計發(fā)展
同時宣布針對臺積公司 N3C 工藝的工具認證完成,并基于臺積公司最新 A14 技術(shù)展開初步合作 中國上海,2025 年 5 月 23 日——楷登電子(美...
西門子推出Innovator3D IC,用于 3D IC 設計、驗證和制造的多物理場集成環(huán)境
西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Innovator3D IC軟件,可為采用全球先進半導體封裝2.5D/3D技術(shù)和基板的ASIC和Chiplet規(guī)劃和異構(gòu)集成...
? ? ?新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,推出全面EDA和IP解決方案,面向采用了臺積公司先進N7、N5和N3工藝技術(shù)的2D/2.5D...
芯和設計訣竅概述 如何使用3DIC Compiler實現(xiàn)Bump Planning
簡介 3DIC Compiler具有強大的Bump Planning功能。它可在系統(tǒng)設計初期階段沒有bump library cells的情況下,通過定...
3DIC架構(gòu)并非新事物,但因其在性能、成本方面的優(yōu)勢及其將異構(gòu)技術(shù)和節(jié)點整合到單一封裝中的能力,這種架構(gòu)越來越受歡迎。隨著開發(fā)者希望...
中芯國際聯(lián)姻長電科技 “兵團作戰(zhàn)”應對巨頭
中國內(nèi)地規(guī)模最大的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際,與國內(nèi)最大的封裝服務供應商江蘇長電科技股份有限公司聯(lián)姻,雙方共同投資國內(nèi)首條完整的12英寸本...
2014-02-21 標簽:半導體制造3dic國產(chǎn)芯片 1863 0
Xilinx與臺積公司宣布全線量產(chǎn)采用CoWoSTM技術(shù)的28nm All Programmable 3D IC系列
2013年10月21日,美國加利福尼亞硅谷和中國臺灣新竹- All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc...
賽靈思(Xilinx)營收表現(xiàn)持續(xù)看漲。賽靈思攜手臺積電,先將28納米制程新產(chǎn)品效益極大化,而后將持續(xù)提高20納米及16納米FinFET制程比例,同時以...
TSMC 和 Cadence 合作開發(fā)3D-IC參考流程以實現(xiàn)真正的3D堆疊
9月25日——全球電子設計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(NASDAQ:CDNS)今天宣布,臺積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC...
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