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標(biāo)簽 > 3D NAND閃存
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數(shù)據(jù)量的增大導(dǎo)致主流3D NAND閃存已經(jīng)不夠用
隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大,主流存儲(chǔ)技術(shù)也在迅速向前推進(jìn)中。3D NAND閃存從2014年的24層,到2016年的48層,到2017年的64層,再到2018年...
2019-09-26 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)存儲(chǔ)3D NAND閃存 749 0
美光開始量產(chǎn)1z nm工藝節(jié)點(diǎn)的DRAM內(nèi)存
美光科技(Micron)16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新,其開始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y n...
3D NAND開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)加劇 “5bit/cell”技術(shù)也出現(xiàn)了
3D NAND閃存高密度技術(shù)正變得越來越激進(jìn)。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量來實(shí)現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術(shù)...
PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存
國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁,把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒...
芯聞早報(bào):明年國(guó)產(chǎn)閃存芯片將亮相 蘋果下周發(fā)布MacBook
今日芯聞早報(bào):2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存 32層堆棧;2035年無人駕駛汽車將占全球汽車銷量的四分之一;標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)供不應(yīng)求;S...
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