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標簽 > 3d芯片
3D芯片是采用3D Tri-Gate晶體設計制造工藝技術,依靠3D三門晶體管生產的處理器芯片。3D芯片仍采用多核,不同的是,多個處理器不再并排相連,而是上下平行地連在一起。這樣,線纜的分布面積就擴大至整個處理器的表面,而且平行結構也有效縮短了各個處理器之間纜線的長度。
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最新技術!英特爾于IFS Direct Connect會議上公布3D芯片技術、邏輯單元、背面供電等未來代工技術!
來源:IEEE Spectrum 編譯:化合物半導體雜志 近日,在一場于圣何塞僅限受邀者參加的活動舉行之前的一次獨家采訪中,英特爾通過分享其未來數據中心...
半導體芯片soic是業界最早的高密度3d芯片技術,可以通過Chip on Wafer(CoW)封裝技術與多晶圓堆疊(WoW)封裝技術,可以將不同尺寸、功...
三星計劃在2024年先進3D芯片封裝技術SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級互連...
半導體公司在2022年提出了3dblox開放型標準,以簡化半導體產業的3d芯片設計和模式化。臺積電表示,在大規模生態系統的支持下,3dblox成為未來3...
英特爾計劃到2025年為止,在馬來西亞包括新的3d封裝工廠,將先進ic封裝能力增加4倍左右。英特爾負責制造供應網及運營的副總經理Robin Martin...
英特爾計劃到2025年為止,在馬來西亞包括新的3d包裝工廠,將先進IC封裝能力增加4倍左右。英特爾負責制造供應網及運營的副總經理Robin Martin...
一批高性能處理器表明,延續摩爾定律的新方向是向上發展。每一代處理器都要比上一代性能更好,究其根本,這意味著要在硅片上集成更多的邏輯。
使用這種方法,封裝廠可以在庫中擁有具有不同功能和過程節點的模塊化chiplet菜單。然后,芯片客戶可以從中選擇,并將它們組裝在一個先進封裝中,從而產生一...
華為的方法使用小芯片的重疊部分來建立邏輯互連。同時,兩個或更多小芯片仍然有自己的電力傳輸引腳,使用各種方法連接到自己的再分配層 (RDL)。但是,雖然華...
隨著這幾年7nm和5nm工藝的相繼投產,新制程工藝為臺積電帶來了可觀的收入,當然他們也投入了非常多的精力與資金去研發新的工藝來保持領先優勢,前兩天臺積電...
在一篇發表在《Lab on a Chip》期刊的論文中,LLNL 實驗室研究人員表示,他們創建的 3D 微電極陣列(3DMEA)平臺能夠維持數十萬人類神...
快訊:三星加快3D芯片封裝技術望同臺積電競爭 華為Mate40系列旗艦即將發布
半導體產業基金(ID:chinabandaoti) 【風云四號B衛星完成研制 明年擇機發射】財聯社8月24日訊,從航天科技集團八院了解到,除了目前已經在...
到2024年,半導體研發將促EUV光刻、3納米、3D芯片堆疊技術增長
據IC Insights發布的最新2020 McClean報告顯示,半導體行業研發的投入將在2024年出現明顯成效包括轉向EUV光刻,低于3納米制程技術...
困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機會,其在去年年底的“架構日”活動中,推出其業界首創的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros,Foveros首...
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