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標(biāo)簽 > 3d芯片
3D芯片是采用3D Tri-Gate晶體設(shè)計(jì)制造工藝技術(shù),依靠3D三門(mén)晶體管生產(chǎn)的處理器芯片。3D芯片仍采用多核,不同的是,多個(gè)處理器不再并排相連,而是上下平行地連在一起。這樣,線(xiàn)纜的分布面積就擴(kuò)大至整個(gè)處理器的表面,而且平行結(jié)構(gòu)也有效縮短了各個(gè)處理器之間纜線(xiàn)的長(zhǎng)度。
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到2024年,半導(dǎo)體研發(fā)將促EUV光刻、3納米、3D芯片堆疊技術(shù)增長(zhǎng)
據(jù)IC Insights發(fā)布的最新2020 McClean報(bào)告顯示,半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)的投入將在2024年出現(xiàn)明顯成效包括轉(zhuǎn)向EUV光刻,低于3納米制程技術(shù)...
一批高性能處理器表明,延續(xù)摩爾定律的新方向是向上發(fā)展。每一代處理器都要比上一代性能更好,究其根本,這意味著要在硅片上集成更多的邏輯。
華為的方法使用小芯片的重疊部分來(lái)建立邏輯互連。同時(shí),兩個(gè)或更多小芯片仍然有自己的電力傳輸引腳,使用各種方法連接到自己的再分配層 (RDL)。但是,雖然華...
趙偉國(guó):要解決卡脖子問(wèn)題 中國(guó)IC行業(yè)2023年才能站穩(wěn)腳跟
技術(shù)趕超才是真的超越。盲目擴(kuò)產(chǎn),追銷(xiāo)量,蹭熱點(diǎn),不是趕得更近,而是差得更遠(yuǎn)。
什么是Foveros封裝?Foveros封裝的難點(diǎn)
Foveros技術(shù)的核心在于實(shí)現(xiàn)芯片的3D堆疊,這涉及到如何將不同芯片之間進(jìn)行精確對(duì)準(zhǔn)和連接。由于芯片之間的間距很小,對(duì)準(zhǔn)的精度要求非常高,這需要高精度...
全球3D芯片及模組引領(lǐng)者,強(qiáng)勢(shì)登陸中國(guó)市場(chǎng)
3D視覺(jué)技術(shù)是高端制造和智能制造機(jī)器人的關(guān)鍵技術(shù),它賦予了機(jī)器人“眼睛和大腦”三維感知能力,是構(gòu)建AI智能機(jī)器生態(tài)的重要一環(huán)。
國(guó)際大廠(chǎng)們之間的“3D堆疊大戰(zhàn)”
困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機(jī)會(huì),其在去年年底的“架構(gòu)日”活動(dòng)中,推出其業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros,F(xiàn)overos首...
近年來(lái),隨著平板顯示技術(shù)與相關(guān)材料領(lǐng)域技術(shù)的不斷進(jìn)步,以及好萊塢對(duì)3D顯示技術(shù)的運(yùn)用和推動(dòng),3D顯示技術(shù)正離我們?cè)絹?lái)越近。這種對(duì)3D顯示的追求是符合顯示...
日月光集團(tuán)總經(jīng)理暨研發(fā)長(zhǎng)唐和明昨(6)日表示,三維立體集成電路(3D IC)將是后PC時(shí)代主流,即使全球經(jīng)濟(jì)減緩,各廠(chǎng)推動(dòng)研發(fā)腳步并不停歇,他推估201...
快訊:三星加快3D芯片封裝技術(shù)望同臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng) 華為Mate40系列旗艦即將發(fā)布
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金(ID:chinabandaoti) 【風(fēng)云四號(hào)B衛(wèi)星完成研制 明年擇機(jī)發(fā)射】財(cái)聯(lián)社8月24日訊,從航天科技集團(tuán)八院了解到,除了目前已經(jīng)在...
一、引言 3D芯片的處理對(duì)象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):首先是直接(盡管繁瑣),多邊形表示的物體其表面的分段線(xiàn)性特征除輪廓外可
一種建模交互神經(jīng)元群體及其網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的方式
在一篇發(fā)表在《Lab on a Chip》期刊的論文中,LLNL 實(shí)驗(yàn)室研究人員表示,他們創(chuàng)建的 3D 微電極陣列(3DMEA)平臺(tái)能夠維持?jǐn)?shù)十萬(wàn)人類(lèi)神...
腦科學(xué)屆的革命:3D芯片精確控制腦神經(jīng)
用光精確地控制神經(jīng)元可以在腦科學(xué)研究和腦疾病治療方面掀起一場(chǎng)革命。
單片型3D技術(shù)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵在于如何將各層功能單元轉(zhuǎn)換到單片3D堆疊結(jié)構(gòu)之中去,其采用的方法非常類(lèi)似于Soitec在制作SOI晶圓時(shí)所采用的SMARTCUT技術(shù)
基于chiplet的設(shè)計(jì)更容易實(shí)現(xiàn)的工作正在進(jìn)行中
使用這種方法,封裝廠(chǎng)可以在庫(kù)中擁有具有不同功能和過(guò)程節(jié)點(diǎn)的模塊化chiplet菜單。然后,芯片客戶(hù)可以從中選擇,并將它們組裝在一個(gè)先進(jìn)封裝中,從而產(chǎn)生一...
三星2024年將推出先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT
三星計(jì)劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級(jí)互連...
JEDEC即將發(fā)布首個(gè)3D IC接口標(biāo)準(zhǔn)
對(duì)整合邏輯和內(nèi)存的3D IC而言,首個(gè)針對(duì)WideIO的商用化標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。盡管技術(shù)上的創(chuàng)新從不停歇,但現(xiàn)階段在異質(zhì)堆棧組件的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)之間仍然缺乏可交換...
3D芯片時(shí)代將至,光學(xué)檢測(cè)設(shè)備應(yīng)用空間擴(kuò)大
美商陸得斯科技(Rudolph Technologies, Inc.)指出,到了3D晶片時(shí)代,矽鉆孔(TSV)、微凸塊(micro bumping)等半...
2013-12-03 標(biāo)簽:3D芯片光學(xué)檢測(cè) 1445 1
實(shí)現(xiàn)20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊
2012年4月27日訊 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布,在為新一代移動(dòng)和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上,公司達(dá)到了一個(gè)重要的里程碑。在...
中微推出用于3D芯片及封裝的硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)
中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蝕設(shè)備Primo TSV200E?
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