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Ascend

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基于昇騰AI | 英碼科技EA500I使用AscendCL實現(xiàn)垃圾分類和視頻物體分類應(yīng)用

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2024-04-26 標(biāo)簽:AI人工智能Ascend 420 0

華為Ascend 910和Ascend 310兩款A(yù)I芯片,在底層芯片級實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先

所謂“全場景”,是指包括公有云、私有云、各種邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)終端以及消費類終端等部署環(huán)境,意味著華為有能力實現(xiàn)智能無所不及,構(gòu)建萬物互聯(lián)的智能世界。

2018-10-12 標(biāo)簽:華為人工智能ascend 1.0萬 0

華為發(fā)布了全球首個覆蓋全場景人工智能AI昇騰Ascend系列IP和芯片

所謂“全場景”,是指包括公有云、私有云、各種邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)終端以及消費類終端等部署環(huán)境,意味著華為有能力實現(xiàn)智能無所不及,構(gòu)建萬物互聯(lián)的智能世界。

2018-10-11 標(biāo)簽:華為人工智能ascend 3330 0

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ascend數(shù)據(jù)手冊

型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
ASDM540G-R 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):33A;功率(Pd):70W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,12A;
ASDM3416EZA-R N型MOS管@@VDS20V,ID7ARDS(on),Typ@VGS=4.5V16mR
ASDM7002EZA-R
ASDM3401ZB-R 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):4.2A;功率(Pd):1.4W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):954pF@15V;反向傳輸電容(Crss@Vds):77pF@15V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);
ASDM20N12ZB-R 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):12A;功率(Pd):1.14W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@4.5V,5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):950mV@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):1.035nF@20V;反向傳輸電容(Crss@Vds):150pF@20V;工作溫度:+150℃@(Tj);

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瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
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