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標(biāo)簽 > C3M0065090J
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“助攻”電源設(shè)計:900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低!
全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET:C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù),...
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 標(biāo)簽:MOSFETSiCC3M0065090J 2094 0
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