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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進,即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。
Double Data Rate:與傳統(tǒng)的單數(shù)據(jù)速率相比,DDR技術(shù)實現(xiàn)了一個時鐘周期內(nèi)進行兩次讀/寫操作,即在時鐘的上升沿和下降沿分別執(zhí)行一次讀/寫操作。
內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的核心組件之一,在計算機、汽車與消費電子產(chǎn)品上可謂無所不在。
DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本,最大的數(shù)據(jù)速率峰值超過 12000 MT/s。
內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為當(dāng)代數(shù)字系統(tǒng)最主要的核心部件之一,從各種終端設(shè)備到核心層數(shù)據(jù)處理 ...
概述 DDR(Double Data Rate)和LPDDR(Low Power Double Data Rate)是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)技術(shù)...
無論對于芯片設(shè)計商還是器件制造商來說,DDR內(nèi)存可謂是無處不在——除了在服務(wù)器、工作站和臺式機中之外,還會內(nèi)置在消費類電子產(chǎn)品、汽車和其他系統(tǒn...
一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲器的區(qū)別
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今,已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用: 1 NANDNAND Flash存儲器是Flash存儲器的一種.....
類別:存儲器技術(shù) 2024-09-11 標簽:存儲器DDR
DDR終端調(diào)節(jié)器LP2996-N LP2996A數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標簽:DDR調(diào)節(jié)器
DDR內(nèi)存頻率對性能的影響主要體現(xiàn)在以下幾個方面: 一、數(shù)據(jù)傳輸速度 內(nèi)存條的頻率(MHz)代表每秒的傳輸速度,即內(nèi)存每秒能夠執(zhí)行...
2024-11-20 標簽:DDR應(yīng)用程序內(nèi)存頻率 2684 0
如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別
隨著技術(shù)的不斷進步,計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運行速度...
配置上新!米爾-新唐MA35D1核心板512M DDR配置發(fā)布!
米爾在2024年8月推出了基于新唐MA35D1芯片設(shè)計的嵌入式處理器模塊MYC-LMA35核心板及開發(fā)板。MA35D1是集成2個Cortex-A35與1...
三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露,三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存,該制程將支持高達32Gb...
Rambus解讀:6400MT/s及以上DDR內(nèi)存速率,不可或缺的CKD芯片
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)針對服務(wù)器內(nèi)存模塊RDIMM的芯片組解決方案,Rambus一直以來有著深厚的技術(shù)實力,可提供寄存器時鐘驅(qū)動器(RC...
近日,深圳會展中心(福田)迎來了科技界的盛事——elexcon2024深圳國際電子展。在這場科技盛宴中,金泰克憑借其卓越的技術(shù)實力和市場表現(xiàn)脫穎而出,榮...
據(jù)報道,三星電子在最新的半導(dǎo)體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級(1b)制程DRAM的良率尚未達到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平,這一狀況引發...
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