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標(biāo)簽 > DDR3內(nèi)存
DDR3 SDRAM是一種電腦存儲(chǔ)器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
DDR3內(nèi)存在達(dá)到高帶寬的同時(shí),其功耗反而可以降低,其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V,相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)DDR3將比現(xiàn)時(shí)DDR2節(jié)省30%的功耗,當(dāng)然發(fā)熱量我們也不需要擔(dān)心。就帶寬和功耗之間作個(gè)平衡,對(duì)比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X,不但內(nèi)存帶寬大幅提升,功耗表現(xiàn)也比上代更好。
基于DDR3內(nèi)存的PCB仿真設(shè)計(jì)
DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分,都采用源同步時(shí)序,即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高...
2019-06-25 標(biāo)簽:pcb仿真設(shè)計(jì)ddr3內(nèi)存 1951 0
DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存哪個(gè)好
DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 1. 定義與起源 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) :同步...
2024-11-29 標(biāo)簽:SDRAM存儲(chǔ)器DDR內(nèi)存 360 0
美光DDR3內(nèi)存登場(chǎng):30nm工藝 用于超輕薄設(shè)備
美光今天也宣布了另外一種DDR3內(nèi)存的登場(chǎng):30nm工藝制造的DDR3L-RS DRAM已經(jīng)開(kāi)始批量供應(yīng),主要針對(duì)超極本、平板機(jī)等超輕薄計(jì)算設(shè)備。
2012-09-19 標(biāo)簽:美光DDR3內(nèi)存30nm 1833 0
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