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EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電后仍能保留數據的計算機儲存芯片——即非易失性的（非揮發性）。本章詳細EEPROM是什么，EPROM編程過程，E2PROM與EPROM，E2PROM和EPROM，EPROM型號，EPROM和E2PROM的區別，EPROM的工作原理
EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電后仍能保留數據的計算機儲存芯片——即非易失性的（非揮發性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對準陽光直射一段時間就可以擦除。
EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電后仍能保留數據的計算機儲存芯片——即非易失性的（非揮發性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對準陽光直射一段時間就可以擦除。
工作原理
浮柵中沒有電子注入時，在控制柵加電壓時，浮柵中的電子跑到上層，下層出現空穴。
由于感應，便會吸引電子，并開啟溝道。
如果浮柵中有電子的注入時，即加大的管子的閾值電壓，
溝道處于關閉狀態。這樣就達成了開關功能。
如圖二所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極加高壓，電子從源極流向漏極溝道充分開啟。在高壓的作用下，電子的拉力加強，能量使電子的溫度極度上升，變為熱電子（hot electrON）。這種電子幾乎不受原子的振動作用引起的散射，在受控制柵的施加的高壓時，熱電子使能躍過SiO2的勢壘，注入到浮柵中。
在沒有別的外力的情況下，電子會很好的保持著。在需要消去電子時，利用紫外線進行照射，給電子足夠的能量，逃逸出浮柵。［2］
EEPROM的寫入過程，是利用了隧道效應，即能量小于能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。
量子力學認為物理尺寸與電子自由程相當時，電子將呈現波動性，這里就是表明物體要足夠的小。
就pn結來看，當p和n的雜質濃度達到一定水平時，并且空間電荷極少時，電子就會因隧道效應向導帶遷移。
電子的能量處于某個級別允許級別的范圍稱為“帶”，較低的能帶稱為價帶，較高的能帶稱為導帶。
電子到達較高的導帶時就可以在原子間自由的運動，這種運動就是電流。
EEPROM寫入過程，如圖3所示，根據隧道效應，包圍浮柵的SiO2，必須極薄以降低勢壘。
源漏極接地，處于導通狀態。在控制柵上施加高于閾值電壓的高壓，以減少電場作用，吸引電子穿越。
EPROM和EEPROM有什么區別
瞬間說的沒錯。
EPROM有一個小玻璃窗口，用紫外線照射檫除，主要應用于存儲單片機的程序代碼，只能離線寫入代碼。
EEPROM用電檫除，主要用于存儲數據，掉電后數據也不會丟失，且可以在線編程寫入數據。
現在都還有應用。
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