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標(biāo)簽 > GaN器件
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基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路,輸出電壓調(diào)節(jié)至 24 V,輸入電壓范圍為 380...
用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級(jí)評(píng)估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG341x 半橋板(如 LMG3410-HB-EVM)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供...
PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路,在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 12V 輸出。使用我們...
2025-02-25 標(biāo)簽:諧振轉(zhuǎn)換器偏置電源同步整流器 301 0
EVM用戶指南:LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評(píng)估模塊
LMG2650EVM-100 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái),用于評(píng)估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣...
LMG2640子卡評(píng)估模塊LMG2640EVM-090介紹
LMG2640 子卡評(píng)估模塊 (EVM) 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái),以評(píng)估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(...
GaN可靠性測(cè)試新突破:廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新...
淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程
電動(dòng)汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。
2024-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電磁兼容性 1262 0
聚焦大功率氮化鎵(GaN)器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題
熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題,其中的各種規(guī)則、縮略語和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測(cè)的神秘領(lǐng)域;
半導(dǎo)體,微電子,集成電路都是什么關(guān)系?
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài),這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)(屬于化學...
2023-07-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片CMOS反相器 7260 0
GaN器件的LLC諧振變換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)_馬煥立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-08 標(biāo)簽:LLC諧振變換器GaN器件 1272 0
氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)革新!
電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)師致力于通過提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求,使電動(dòng)汽車更輕量化、自動(dòng)化,并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級(...
2025-03-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車GaN器件氮化鎵技術(shù) 331 0
泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作推進(jìn)1700V GaN器件
近日,泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展,雙方共同對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面...
2025-01-20 標(biāo)簽:測(cè)試設(shè)備泰克科技GaN器件 448 0
京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇
3月24日,SEMICON China 2024展會(huì)在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇,京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(f...
2024-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體華燦光電 788 0
Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co,Ltd(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)的650V GaN器件(EcoGaN),被臺(tái)達(dá)電子(Delta Electronics,I...
Tagore Tech和Inventchip聯(lián)合開發(fā)一款500W電源參考設(shè)計(jì)解決方案
Tagore Technology 與 Inventchip Technology(上海瞻芯電子科技有限公司,簡(jiǎn)稱:瞻芯電子)共同參加業(yè)界知名的2024...
2024-02-29 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)控制器PFC 986 0
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)
近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器晶體管 1349 0
NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片
DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度,內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管,邏輯控制電...
納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場(chǎng)
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯...
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