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      標簽　>　GaN器件

      GaN器件

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      gan器件技術

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      2024-11-28 標簽：SiCGaN可靠性測試 235 0

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      2024-05-07 標簽：電動汽車IGBT電磁兼容性 1017 0

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      2024-04-24 標簽：集成電路PCB板QFN封裝 1253 0

      氮化鎵技術發展現狀分析

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      半導體，微電子，集成電路都是什么關系？

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      2023-07-11 標簽：半導體驅動芯片CMOS反相器 6593 0

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      2023-06-19 標簽：電磁兼容BMPPCB工藝 1484 0

      AIGC可編輯的圖像生成方案

      ControlNet給出的實驗結果實在是過于驚艷了，近期視覺領域最讓人興奮的工作。

      2023-03-03 標簽：ClipGaN器件OpenAI 3986 0

      硅基氮化鎵用途

      當前軍事與航天領域是氮化鎵技術最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下，開始了氮化鎵技術的研究，慢慢地就行成了現在GaN器件的市場。據統計，軍事和航天領...

      2023-02-12 標簽：雷達硅基氮化鎵技術GaN器件 543 0

      全電飛機航空電子系統的設計方案解析

      SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構，帶來了諸多優勢：首先，“絕緣埋層”實現了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離，減小了寄生電容，開關頻率得以提高。

      2023-01-10 標簽：電機驅動SiC碳化硅 2760 0

      探索寬帶隙WBG半導體的基礎知識和應用

      不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅動要求，這可能是使用 GaN 組件進行設計時面臨的最大挑戰之一。

      2022-11-10 標簽：CGDdcdc轉換器GaN器件 2726 0

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      gan器件帖子

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      gan器件資訊

      京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導體產業國際論壇

      京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導體產業國際論壇

      3月24日，SEMICON China 2024展會在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導體產業國際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發總監邱...

      2024-04-19 標簽：氮化鎵功率半導體華燦光電 625 0

      Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”

      全球知名半導體制造商ROHM Co，Ltd（以下簡稱“羅姆”）的650V GaN器件（EcoGaN），被臺達電子（Delta Electronics，I...

      2024-03-06 標簽：電源管理適配器功率器件 352 0

      Tagore Tech和Inventchip聯合開發一款500W電源參考設計解決方案

      Tagore Technology 與 Inventchip Technology（上海瞻芯電子科技有限公司，簡稱：瞻芯電子）共同參加業界知名的2024...

      2024-02-29 標簽：電源設計控制器PFC 762 0

      面向1200V功率應用的異質襯底橫向和垂直GaN器件發展趨勢

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      近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發和市場導入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

      2023-12-26 標簽：電動汽車逆變器晶體管 1046 0

      NexGen垂直GaN半導體 預計2023年第三季度全面生產

      該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發布的700V 和 1200V樣品。

      2023-07-04 標簽：氮化鎵GaN通用汽車 361 0

      新品推薦 | 東科推出業內首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

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      DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉換芯片。它具有超高集成度，內置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電...

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      NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN...

      2022-07-27 標簽：電容電力電子功率器件 4954 0

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      全球SiC和GaN功率器件市場規模將達到56.436億美元

      第三代半導體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導體，該類半導體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱...

      2021-12-23 標簽：半導體功率器件GaN器件 2839 0

      SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業

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      思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實現了量產化的解決方案，也在持續挖掘ALD技術之于傳統硅基，SiC，GaN器件的創新應用潛力。

      2021-11-10 標簽：MOSFET充電器半導體產業 1334 0

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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業家 ，先后畢業于安徽蕪湖職業技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業家協會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創新企業家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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