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標簽 > IGBT技術
IGBT技術是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點,非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT技術是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點,非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
功率半導體在產品節能中發揮著巨大的作用。在可預見的將來,無論是水電、核電、火電還是風電,甚至各種電池提供的化學電能,將是人類消耗的最重要能源。但是75%...
作為IGBT技術的供應商之一,華潤微在產品性能和技術創新方面具備競爭優勢。其所提供的IGBT產品具有低導通電阻、低開關損耗、高耐受電壓和高溫度工作能力等...
新IGBT技術提高應用性能 在日益增長的變頻器市場,許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關頻率而著稱的新IGBT技術施展的舞臺...
2009-11-07 標簽:IGBT技術 829 0
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