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LSIC1MO120E0080

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Littelfuse SiC MOSFET LSIC1MO120E0080 提供低導通電阻和超低開關損耗的結合，具有傳統 1200 V 類功率晶體管所無可比擬的優勢。作為首款碳化硅 MOSFET，其堅固設計可容納更廣范圍的高溫應用。

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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應用中實現超高速切換

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LSIC1MO120E0080簡介

　　Littelfuse SiC MOSFET LSIC1MO120E0080 提供低導通電阻和超低開關損耗的結合，具有傳統 1200 V 類功率晶體管所無可比擬的優勢。作為首款碳化硅 MOSFET，其堅固設計可容納更廣范圍的高溫應用。更小的散熱器和更高的功率密度可實現更高能效和更小無源濾波器，且更高的功率密度支持更高的開關頻率。該器件在同樣電壓/電流額定值下具有更小的芯片尺寸。

　　特性

　　超快開關速度
　　降低了開關損耗
　　高工作溫度
　　高阻斷電壓和低比導通電阻（SiC 材料特性）

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類別：IC datasheet pdf 2022-11-04 標簽：MOS管 LSIC1MO120E0080

lsic1mo120e0080資訊

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應用中實現超高速切換

即便在高溫條件下也能兼具超低切換損耗、高效性和一流的耐用性中國，北京，2017年10月17日訊 - Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護...

2017-10-17 標簽：MOSFET Littelfuse LSIC1MO120E0080 9171 0

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