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標簽 > MOS器件
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如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。MOS器件有兩種基本類型:MO...
2024-07-25 標簽:電子電路半導(dǎo)體器件MOS器件 1879 0
碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料,其擊穿場強是硅的10倍,熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)...
2023-02-09 標簽:半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1196 0
SGT-MOS結(jié)構(gòu)及轉(zhuǎn)移特性詳解
MOS器件第一個深溝槽(Deep Trench)作為“體內(nèi)場板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷,這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率,從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(RSP...
MOS高溫挑戰(zhàn)終結(jié)者?仁懋三款MOS器件引爆主機能效革命
高性能主機的“供電生死局”隨著RTX40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W,傳統(tǒng)MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰(zhàn)。某硬件論壇調(diào)研顯示,27%的藍...
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