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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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FeRAM,全稱Ferroelectric RAM(鐵電隨機存取存儲器),是一種基于鐵電材料特性的非易失性存儲器技術。它類似于傳統的SDRAM(同步動態...
探索存內計算—基于 SRAM 的存內計算與基于 MRAM 的存算一體的探究
本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術在計算領域的應用和發展。首先,介紹了基于SRAM的存內邏輯計算技術,包括其原理、優勢以及在神經網絡領域...
嵌入式閃存及其對應的離片NOR閃存,在非易失性內存領域(即用于持久性或長期數據存儲)多年來占據著標準地位。然而,隨著工藝技術尺寸縮小至28nm以下,這些...
近日,浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會。此次大會標志著公司獲得了誠通混改基金、誠通國調基金、國調科改基金、國新綜改基金、浙江金控、湖...
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術,以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測試芯片。
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