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標簽 > NAND Flash芯片
Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NOR flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。NAND Flash 的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在memory cell,一般來說,一個cell 中只能存儲一個bit。這些cell 以8個或者16個為單位,連成bit line,形成所謂的byte(x8)/word(x16),這就是NAND Device的位寬。這些Line會再組成Page,(NAND Flash 有多種結(jié)構(gòu),我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面內(nèi)容針對三星的K9F1208U0M),每頁528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)),每32個page形成一個Block(32*528B)。
ARM各種斷點到底有什么區(qū)別?什么類型的斷點會修改Flash?
最近在支持BLE KW客戶時就遇到一個很隱蔽的問題,讓我對ARM斷點又有了顛覆性的認識,此處聊作記錄,也為讀者分析問題提供一個思路。
據(jù)日經(jīng)新聞7月31日報導,面向智能手機、PC的消費量DRAM價格已經(jīng)連2個月呈現(xiàn)持平(價格未下跌)
2023-08-02 標簽:DRAM存儲芯片Nand flash 444 0
根據(jù)Digitimes的數(shù)據(jù)顯示,2015年,韓國半導體的半導體出口金額自2014年626億美元增加3億美元至629億美元,連續(xù)2年創(chuàng)新高。其中存儲器的...
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