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標(biāo)簽 > RDSON控制器
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引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1135 0
這個(gè)Rdson電阻是對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)呢?
在這個(gè)過程中,Vgs加大,導(dǎo)電溝道寬度增加;Vgs減小,溝道寬度就減小。
產(chǎn)生超結(jié)MOSFET的高電壓器件開發(fā)技術(shù)——電荷平衡技術(shù)
作者:Sanjay Havanur,Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)...
2021-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電荷平衡 5342 0
實(shí)現(xiàn)帶輸電功能的USB Type-C直通設(shè)備時(shí)的關(guān)鍵工程注意事項(xiàng)
USB輸電(PD)的推出,通過顯著擴(kuò)展USB接口協(xié)議的電源能力,增強(qiáng)了其適用范圍——可以支持高達(dá)100W的系統(tǒng)。
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