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SiCMOSFET

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sicmosfet技術(shù)

如何提高碳化硅器件的效率

如何提高碳化硅器件的效率

高效率當(dāng)然是一個(gè)優(yōu)點(diǎn),但有時(shí)“高”的說法并不準(zhǔn)確,例如:家用電子設(shè)備散發(fā)出“較高”的熱量,可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量,或許能從能源使用...

2022-03-31 標(biāo)簽:碳化硅GaN器件SiCMOSFET 1851 0

對SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹

對SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹

眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實(shí),它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一...

2017-12-21 標(biāo)簽:igbtsicmosfet 3.7萬 0

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提高工業(yè)電機(jī)效率:采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器

提高工業(yè)電機(jī)效率:采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器

工業(yè)電機(jī)需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC(碳化硅)MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)的三相逆變器代表著在滿足現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用的功率和效率需求方面邁出了重要一步...

2024-11-15 標(biāo)簽:電機(jī)三相逆變器SiCMOSFET 268 0

國產(chǎn)SiC MOSFET為什么遲遲還未上車?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC在電動(dòng)汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用,隨著市場對電動(dòng)汽車長續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求,正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由...

2022-07-06 標(biāo)簽:SiC碳化硅SiCMOSFET 3569 0

深入了解SiCMOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案的示例

來源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟 對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢,...

2022-12-09 標(biāo)簽:SiCMOSFET 992 0

SiCMOSFET和SiCSBD換流單元瞬態(tài)模型

來源:電氣技術(shù) 清華大學(xué)電機(jī)系電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備安全控制和仿真國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員朱義誠、趙爭鳴、王旭東、施博辰,在2017年第12期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)...

2022-12-09 標(biāo)簽:SiCMOSFETsicsbd 945 0

SICMOSFET的特性及對驅(qū)動(dòng)的要求

SICMOSFET的特性及對驅(qū)動(dòng)的要求

導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小,高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低,能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。

2019-06-09 標(biāo)簽:電路STSiCMOSFET 1.1萬 0

英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有...

2018-04-23 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅sicmosfet 3932 0

美高森美瞄準(zhǔn)工業(yè)和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品,繼續(xù)在碳化硅解決方案領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位

美高森美參加在3月4日至8日在美國舉辦的APEC展覽會(huì),于1147號(hào)展位展示適用于惡劣環(huán)境的電源應(yīng)用新器件。

2018-02-28 標(biāo)簽:apec美高森美sicmosfet 6357 0

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  • TMS320F28335
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    靜電防護(hù)
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    SDK
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麥苗青青

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