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SiGe

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sige技術(shù)

SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用

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本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導體技術(shù)中,隨著器件尺寸的不斷縮小,傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高...

2024-12-20 標簽:半導體工藝SiGe 103 0

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與通過源漏嵌入 SiC 應變材料來提高NMOS 的速度類似,通過源漏嵌入 SiGe 應變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應變技術(shù)被廣泛用...

2024-07-26 標簽:SiGePMOS晶格 1381 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

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在過去的幾年中,MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應,并導致更高的驅(qū)動電流泄漏。然而,隨著柵極長度減小到小于...

2024-01-15 標簽:等離子體光纖SiGe 361 0

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

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器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...

2023-06-15 標簽:半導體晶圓SiGe 867 0

以CMOS技術(shù)實現(xiàn)的微型化毫米波傳感器

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大多數(shù)商用雷達系統(tǒng),特別是高級駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達系統(tǒng),均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車輛都有一個多芯片SiGe雷達系統(tǒng)。雖然...

2023-04-07 標簽:SiGeadas雷達系統(tǒng) 1598 0

用毫米波傳感器為汽車帶來高級視覺

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相對于基于傳統(tǒng)鍺硅(SiGe)的傳感器技術(shù),TI基于RFCMOS的雷達傳感器引入了更高的數(shù)字和模擬集成度,以實現(xiàn)高輸出功率、低功耗(比市面上現(xiàn)有解決方案...

2023-04-07 標簽:SiGeAPI雷達傳感器 1435 0

硅鍺技術(shù)增強無線電前端性能

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本應用筆記介紹了硅鍺如何增強RF應用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應。SiGe技術(shù)的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對線性...

2023-02-24 標簽:SiGeRF無線電 1357 0

用于WCDMA應用的MAX2322

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MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC,優(yōu)化用于PCS (1900MHz)頻段CDMA(碼分多址)應用。它包括一個LNA、一個混頻器和一個可選頻率...

2023-02-23 標簽:接收器SiGe混頻器 832 0

銅夾片提供高功率整流器

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從封裝的角度來看,這些功率二極管一直使用傳統(tǒng)的功率器件封裝,例如DPAK和D2PAK、TO220和TO-247。但是,為了提高系統(tǒng)效率,更好地將器件的熱...

2023-02-09 標簽:二極管整流器SiGe 692 0

SiGe整流器:熱穩(wěn)定效率

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SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復二極管的熱穩(wěn)定性于一身,讓工程師能夠優(yōu)化100-200V功率電路的設(shè)計,從而達到更高的效率。該器件面向汽車、...

2023-02-09 標簽:整流器SiGeCFP 747 0

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SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

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文章來源:半導體與物理 原文作者:jjfly686 本文簡單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無等離子體刻蝕和原子層刻蝕。 全環(huán)繞柵極晶體...

2024-12-17 標簽:SiGe刻蝕 93 0

Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻

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引言 近年來,硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此,人們對硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運研究有相當大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...

2023-12-28 標簽:晶圓SiGe蝕刻 646 0

基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應用

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最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片,在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標,針對應用會在文末給大家一些方向性參考。 雷達前端TRA?2...

2023-11-16 標簽:芯片功率放大器振蕩器 1298 0

深入探討封裝基板

來源:內(nèi)容來自「馭勢資本」,謝謝。 半導體封裝基礎(chǔ) 半導體制造工藝流程 半導體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測試...

2021-10-19 標簽:芯片半導體SiGe 9239 0

得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹

本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產(chǎn)品...

2021-10-11 標簽:整流器SiGe揚聲器 3351 0

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2019-09-06 標簽:SiGe分辨率晶體管 1.8萬 0

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格芯(GLOBALFOUNDRIES)公布了針對一系列技術(shù)平臺而制訂的愿景和路線圖,這些技術(shù)平臺旨在幫助客戶過渡到下一代5G無線網(wǎng)絡(luò)。格芯為多種5G應用...

2018-05-03 標簽:cmossige5g 1130 0

美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件L...

2018-04-27 標簽:sigewifife 1398 0

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據(jù)IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來經(jīng)過技術(shù)改進有可...

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格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方...

2016-06-08 標簽:SiGe射頻芯片格羅方德 1653 0

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sige數(shù)據(jù)手冊

型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
SE7351L-T SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
SE7351L-AK3 SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
SE7265L-R SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
SE7265L-EK1 SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
SE7262L-EK1 SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.

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