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標(biāo)簽 > asml
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光刻各環(huán)節(jié)對應(yīng)的不同模型種類
光學(xué)模型是基于霍普金斯(Hopkins)光學(xué)成像理論,預(yù)先計算出透射相交系數(shù)(TCCs),從而描述光刻機的光學(xué)成像。光學(xué)模型中,經(jīng)過優(yōu)化的光源,通過光刻...
2023-12-11 標(biāo)簽:晶圓光刻機器學(xué)習(xí) 1502 0
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設(shè)計過程中的后續(xù)步驟。
ASML向中國臺灣增資1.4億歐元獲批,從事晶圓測量設(shè)備等代工生產(chǎn)
asml計劃投資300億臺幣,在新北市林口宮產(chǎn)業(yè)專用園區(qū)設(shè)立工廠。臺灣經(jīng)濟部計劃向該項目提供2.85億臺幣(約2900億韓元)的補助金,該工廠將主要把重...
納米壓印技術(shù),即Nanoimprint Lithography(NIL),是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計并制作在模板上的微小圖形,通過壓印等技術(shù)...
用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進行物...
2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 1264 0
節(jié)點的尺寸數(shù)值基本上和晶體管的長寬成正比關(guān)系,每一個節(jié)點基本上是前一個節(jié)點的0.7倍。這樣以來,由于0.7X0.7=0.49,所以每一代工藝節(jié)點上晶體管...
ASML 稱之為超數(shù)值孔徑的研發(fā)正在進行中,因此更具體的光學(xué)器件,尚不清楚它是否會起作用。距生產(chǎn)還有 10 年的時間,但這正是研發(fā)已經(jīng)在進行的地方,如果...
據(jù)悉,下一代EUV光刻機必須要升級下一代的高NA(數(shù)值孔徑)標(biāo)準(zhǔn),從現(xiàn)在的0.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA意味著更分辨率更高,是3nm之后...
EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù),簡單來說,就是以極紫外光作“刀”,對芯片上的晶圓進行雕刻,讓芯片上的電路變成人...
ASML光刻機的工作原理及關(guān)鍵技術(shù)解析
光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準(zhǔn)曝光機,曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等,是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù),把掩膜版上的精細(xì)圖形通過...
光刻機市場簡析 國產(chǎn)光刻機今年能否進入實際生產(chǎn)環(huán)節(jié)
中科院去年宣布進軍光刻機,相信在量子芯片、光子芯片、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域中國可以實現(xiàn)彎道超車的。
技術(shù)節(jié)點的發(fā)展推動著半導(dǎo)體曝光技術(shù)解像度(Half Pitch)的發(fā)展,ArF液浸曝光技術(shù)和EUV曝光技術(shù)等的解像度(R)和曝光波長(λ)成正比,和光學(xué)...
ASML 公司的成功案例表明了多物理場仿真對于計算機芯片行業(yè)的重要性,他們的寶貴經(jīng)驗可能適用于所有制造商。
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