IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 944 0

差分放大器的差模與共模輸入信號

前一章我們講過差分放大器的概念，差分放大器只放大兩個(gè)輸入信號的差值，而不放大其公共部分。

2023-09-18 標(biāo)簽：差分放大器FET共模抑制比 3988 0

解讀LM321集成運(yùn)放的數(shù)據(jù)規(guī)格書（1）

一般來說，數(shù)據(jù)規(guī)格書的首頁都會(huì)包含這個(gè)器件的重要特點(diǎn)，下圖中對一些比較重要的需要解釋的特點(diǎn)已用紅線劃出

2023-09-18 標(biāo)簽：二極管電源電壓電源供電 4076 0

BJT中的通用基本配置，如何配置共基極放大器電路？

在本節(jié)中，我們將分析BJT共基構(gòu)型，了解其驅(qū)動(dòng)點(diǎn)特性、反向飽和電流、基極至發(fā)射極電壓，并通過實(shí)際求解示例評估參數(shù)。在后面的部分中，我們還將分析如何配置共...

2023-07-24 標(biāo)簽：BJTBJT管共基極放大電路 2224 0

介紹一個(gè)兩級Miller補(bǔ)償軌到軌運(yùn)算放大器及其設(shè)計(jì)要點(diǎn)

介紹一個(gè)3:1電流鏡的兩級Miller補(bǔ)償軌到軌運(yùn)算放大器及其設(shè)計(jì)要點(diǎn)。圖1和圖2分別為偏置啟動(dòng)電路和運(yùn)放的主體結(jié)構(gòu)。

2023-07-11 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器電流鏡PSRR 1786 0

三極管的三區(qū)含義介紹

引言：BJT內(nèi)部含有兩個(gè)背靠背，互相影響的PN結(jié)，當(dāng)這兩個(gè)PN結(jié)的偏置條件（正偏還是反偏）不同時(shí)，BJT將呈現(xiàn)出不同的特性和功能，對應(yīng)四種工作狀態(tài)：放大...

2023-07-08 標(biāo)簽：三極管二極管NPN晶體管 1662 0

如何用EKV模型秒掉拉扎維？

我們給大家介紹了EKV模型的基本概念以及在大信號和小信號分析中的應(yīng)用。尤其在大信號分析中，EKV圖形化的方法簡單直觀，有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢。

2023-07-07 標(biāo)簽：MOS管VDS偏置電壓 3260 0

帶隙基準(zhǔn)電路集成有源器件仿真設(shè)計(jì)

帶隙基準(zhǔn)廣泛應(yīng)用于模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)電路輸出的基準(zhǔn)電壓可以為模擬集成電路提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流

2023-07-06 標(biāo)簽：電源電壓PNP晶體管SPICE仿真 1516 0

ADS的直流仿真實(shí)驗(yàn)

直流仿真是其他仿真的基礎(chǔ)，只有在完成直流仿真、確定電路和系統(tǒng)直流工作點(diǎn)的情況下，才能進(jìn)行其他仿真驗(yàn)證，可以說直流仿真是所有其它仿真的先決條件。

2023-06-29 標(biāo)簽：放大器三極管探測器 7775 0

小功率BJT管腳管型自動(dòng)判別電路設(shè)計(jì)

根據(jù)目前常用三極管的類型及管腳排列方式，設(shè)計(jì)的自動(dòng)判別電路包含中心控制單元、轉(zhuǎn)換電路、檢測放大電路和顯示電路四個(gè)部分

2012-05-02 標(biāo)簽：三極管BJT管 2291 1