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CMOS反相器

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　　CMOS反相器由一個P溝道增強型MOS管和一個N溝道增強型MOS管串聯(lián)組成。通常P溝道管作為負載管，N溝道管作為輸入管。這種配置可以大幅降低功耗，因為在兩種邏輯狀態(tài)中，兩個晶體管中的一個總是截止的。處理速率也能得到很好的提高，因為與NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的電阻相對較低。

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CMOS反相器簡介

　　（1）靜態(tài)功耗極低。在穩(wěn)定時，CMOS反相器工作在工作區(qū)Ⅰ和工作區(qū)Ⅴ，總有一個MOS管處于截止狀態(tài)，流過的電流為極小的漏電流。

　　（2）抗干擾能力較強。由于其閾值電平近似為0.5VDD，輸入信號變化時，過渡變化陡峭，所以低電平噪聲容限和高電平噪聲容限近似相等，且隨電源電壓升高，抗干擾能力增強。

　　（3）電源利用率高。VOH=VDD，同時由于閾值電壓隨VDD變化而變化，所以允許VDD有較寬的變化范圍，一般為+3～+18V。

　　（4）輸入阻抗高，帶負載能力強。

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