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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補金屬氧化物半導體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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芯片設(shè)計都不可避免的考慮要素—閂鎖效應latch up
閂鎖效應,latch up,是個非常重要的問題?,F(xiàn)在的芯片設(shè)計都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
事實上,用于移動設(shè)備的熱感相機附件正變得越來越流行,而且非常實惠,一些加固型手機甚至集成了這些附件。熱成像器開始滲透智能家居有了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,用不了多久,...
一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程(BEOL)中的存儲器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會增加硅...
雙光子光刻技術(shù)能夠精確制備三維結(jié)構(gòu),并將其精準集成在光電芯片上,能夠在光纖-芯片以及芯片-芯片之間,構(gòu)建大帶寬、低損耗的光信號鏈路,實現(xiàn)光信號的高效互連...
關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹
EUV 超薄 (≤10nm)尺度的光刻膠:隨著特征尺寸的縮小,光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊,以防止聚...
一種Inverter-Based CTLE以解決傳統(tǒng)CTLE的不足
傳統(tǒng)CML結(jié)構(gòu)的CTLE基于源極退化電阻電容實現(xiàn)均衡,當速度提高到56Gb/s或者112Gb/s時CML-based CTLE面臨速度、面積、功耗的巨大壓力
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