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半導(dǎo)體FAB中常見的五種CVD工藝

Hello,大家好，今天來分享下半導(dǎo)體FAB中常見的五種CVD工藝。化學(xué)氣相沉積（CVD）主要是通過利用氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工...

2025-01-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FAB CVD 330 0

Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點(diǎn)優(yōu)化

上海伯東日本 Atonarp Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀, 基于四級(jí)桿的質(zhì)量分離, Aston 質(zhì)譜分析儀設(shè)計(jì)緊湊, 適用于氣體分析和...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體分析儀 CVD 144 0

什么是無定形碳膜？為什么選碳作為3D NAND的硬掩模？

無定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構(gòu)成但沒有長(zhǎng)程有序結(jié)構(gòu)的薄膜材料。

2024-03-22 標(biāo)簽：NAND PVD CVD 2209 0

CVD成為工業(yè)制造應(yīng)用更優(yōu)選

金剛石具有低密度、高彈性模量、高強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、化學(xué)惰性和生物相容性等優(yōu)異特性，在聲學(xué)領(lǐng)域主要應(yīng)用于高保真喇叭、聲表面波器件、聲傳感器等。

2024-01-08 標(biāo)簽：金剛石 CVD 工業(yè)制造 579 0

銅材料的CVD工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的

介紹了銅材料的CVD工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的以及什么情況下會(huì)用到銅CVD工藝。

2024-01-07 標(biāo)簽：晶圓工藝 CVD 1472 0

CVD金剛石在機(jī)械密封領(lǐng)域中的應(yīng)用

隨著科技的不斷發(fā)展，金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中，化學(xué)氣相沉積（CVD）金剛石由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，尤其在機(jī)械密封領(lǐng)域中有著廣...

2024-01-04 標(biāo)簽：金剛石機(jī)械密封 CVD 979 0

金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用梳理

金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類型，大致可分為單形和聚形，每種類型都具有不同的特性和應(yīng)用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用。

2024-01-02 標(biāo)簽：金剛石 CVD 2429 0

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，...

2023-12-15 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 3329 0

90%的模具人都搞不懂模具爆裂是什么？模具爆裂原因分析

模具材質(zhì)不好在后續(xù)加工中容易碎裂

2023-11-25 標(biāo)簽：PVD 壓力機(jī)HRC 1493 0

CVD中的硅烷詳解

硅烷（SiH4），是CVD里很常見的一種氣體，在CVD中通常用來提供硅的來源，用途很廣泛，我們來詳細(xì)了解一下。

2023-11-24 標(biāo)簽：CVD 氮化硅 2357 0

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如何實(shí)現(xiàn)mTouch觸摸傳感解決CVD電容檢測(cè)方法的詳細(xì)資料概述立即下載

類別：傳感與控制 2018-06-15 標(biāo)簽：ADC 觸摸傳感 mTouch 1609 0

cvd資訊

金剛石:從合成到應(yīng)用的未來材料

金剛石的優(yōu)異性能與廣闊前景金剛石，因其優(yōu)異的機(jī)械、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性能，被譽(yù)為“材料之王”，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景：機(jī)械性能：極高的硬度和耐...

2025-01-03 標(biāo)簽：金剛石 CVD 79 0

拓荊科技：超高深寬比溝槽填充CVD產(chǎn)品首臺(tái)已通過客戶驗(yàn)證

來源：集成電路材料研究近日，拓荊科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司自主研發(fā)并推出的超高深寬比溝槽填充CVD產(chǎn)品首臺(tái)已通過客戶驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并獲得...

2024-09-25 標(biāo)簽：CVD 349 0

2023年度國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng) | 熱烈祝賀晟鵬創(chuàng)始人成會(huì)明院士

6月24日，全國(guó)科技大會(huì)、國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)、兩院院士大會(huì)在人民大會(huì)堂隆重舉行。廣東晟鵬材料技術(shù)有限公司（廣東晟鵬科技有限公司）創(chuàng)始人成會(huì)明院士團(tuán)隊(duì)的...

2024-06-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 CVD 773 0

Element Six與Orbray同盟致力于頂尖晶圓級(jí)單晶(SC)制造

全球高性能先進(jìn)材料的翹楚企業(yè)——Element Six（E6）與Orbray今日共同宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，致力于聯(lián)手打造全球最高品質(zhì)的晶圓級(jí)單晶（S...

2024-06-11 標(biāo)簽：晶圓金剛石 CVD 771 0

超高靈敏度emICCD相機(jī)助力鉆石中氮空位的量子動(dòng)力學(xué)研究

　　位于加拿大魁北克的舍布魯克大學(xué)(Université de Sherbrooke)的Denis Morris教授和Michel PioroLadri...

2023-12-25 標(biāo)簽：相機(jī)CVD 測(cè)溫計(jì) 422 0

旋涂絕緣介質(zhì)（SOD）是什么?

如果是用淀積溫度較低的PECVD，其生成介質(zhì)層的溫度普遍在300-450攝氏度之間，對(duì)于一些溫度敏感的器件，這么高的溫度無疑是致命的。但是SOD則只需要...

2023-10-22 標(biāo)簽：薄膜 CVD 電介質(zhì) 3875 0

半導(dǎo)體用大尺寸單晶金剛石襯底制備及加工

金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點(diǎn)群為 oh7-Fd3m。每個(gè)碳原子以 sp3雜化的方式與其周...

2023-08-08 標(biāo)簽：激光器 SiC AFM 5938 0

前驅(qū)體市場(chǎng)仍將高速增長(zhǎng)，六氟化鎢或再度緊缺

公司方面認(rèn)為，特別是鎢的使用得益于垂直積累3d nand及所有市場(chǎng)的晶片投射量的增加。六氟化鎢WF6的供需平衡將持續(xù)到2023年，但wf6的供應(yīng)將被限制...

2023-07-31 標(biāo)簽：3d 晶片 CVD 741 0

金剛石大尺寸晶圓屢創(chuàng)紀(jì)錄加速我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)“彎道超車”

金剛石、氧化鎵、氮化鋁等具有更寬的禁帶寬度，被稱為超寬禁帶半導(dǎo)體，未來有可能用來制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫能力的功率器件，因此研發(fā)熱度一直不減。

2023-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 CVD 1949 0

二維Bi?O?Se光電特性及其光電子器件研究進(jìn)展綜述

二維（2D）材料由于其超薄的厚度、高度的機(jī)械柔性、可調(diào)諧的帶隙以及易于定制的范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)，被廣泛應(yīng)用于通信、紅外探測(cè)、航空航天以及生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。

2023-07-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電探測(cè)器 TMD 1337 0

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PCB就是印制電路板又稱印制線路板，即英文Printed circuit board的縮寫，是電子原件的承載部分，是電子元器件電氣連接的提供者，PCB根據(jù)其基板材料的不同而不同。
芯和半導(dǎo)體

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芯和半導(dǎo)體是國(guó)產(chǎn)EDA行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，提供覆蓋IC、封裝到系統(tǒng)的全產(chǎn)業(yè)鏈仿真EDA解決方案，致力于賦能和加速新一代高速高頻智能電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。　　芯和半導(dǎo)體自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的EDA產(chǎn)品和方案在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝上不斷得到驗(yàn)證，并在5G、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，有效聯(lián)結(jié)了各大IC設(shè)計(jì)公司與制造公司。
熱設(shè)計(jì)

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熱設(shè)計(jì)是隨著通訊和信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而出現(xiàn)的一個(gè)較新的行業(yè)，在通訊、安防、PC、汽車、LED以及逆變器等行業(yè)中越來越被重視，成為產(chǎn)品研發(fā)中不可缺少的重要領(lǐng)域。熱設(shè)計(jì)一般由前期的仿真和后期的測(cè)試驗(yàn)證來完成。當(dāng)前的主流的仿真軟件有Flotherm， Icepak，F(xiàn)loEFD， 6SigmaET等
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集成電路設(shè)計(jì)（Integrated circuit design， IC design），亦可稱之為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)（VLSI design），是指以集成電路、超大規(guī)模集成電路為目標(biāo)的設(shè)計(jì)流程。集成電路設(shè)計(jì)涉及對(duì)電子器件（例如晶體管、電阻器、電容器等）、器件間互連線模型的建立。
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可靠性測(cè)試就是為了評(píng)估產(chǎn)品在規(guī)定的壽命期間內(nèi)，在預(yù)期的使用、運(yùn)輸或儲(chǔ)存等所有環(huán)境下，保持功能可靠性而進(jìn)行的活動(dòng)。是將產(chǎn)品暴露在自然的或人工的環(huán)境條件下經(jīng)受其作用，以評(píng)價(jià)產(chǎn)品在實(shí)際使用、運(yùn)輸和儲(chǔ)存的環(huán)境條件下的性能，并分析研究環(huán)境因素的影響程度及其作用機(jī)理。
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TCXO（Temperature Compensate X‘tal （crystal） Oscillator） TCXO是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種。1.TCXO的溫度補(bǔ)償方式，溫度補(bǔ)償型石英晶體諧振器，具有精度高等特點(diǎn)。
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芯華章聚集全球EDA行業(yè)精英和尖端科技領(lǐng)域人才，以智能調(diào)試、智能編譯、智能驗(yàn)證座艙為三大基座，提供全面覆蓋數(shù)字芯片驗(yàn)證需求的五大產(chǎn)品線。
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移動(dòng)開發(fā)也稱為手機(jī)開發(fā)，或叫做移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)開發(fā)，移動(dòng)應(yīng)用開發(fā)等。是指以手機(jī)、PDA、UMPC等便攜終端為基礎(chǔ)，進(jìn)行相應(yīng)的開發(fā)工作，由于這些隨身設(shè)備基本都采用無線上網(wǎng)的方式，因此，業(yè)內(nèi)也稱作為無線開發(fā)。
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深南電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱“深南電路”），成立于1984年，注冊(cè)資本4.89億元，總部坐落于中國(guó)廣東省深圳市，主要生產(chǎn)基地位于中國(guó)深圳、江蘇無錫及南通，業(yè)務(wù)遍及全球，在北美設(shè)有子公司，歐洲設(shè)有研發(fā)站點(diǎn)。
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　　LED開關(guān)電源中應(yīng)用的電子器件主要為：LED二極管、IGBT和MOSFET。SCR在開關(guān)電源輸入整流電路及軟啟動(dòng)電路中有少量應(yīng)用，GTR驅(qū)動(dòng)困難，開關(guān)頻率低，逐漸被IGBT和MOSFET取代。
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杭州廣立微電子股份有限公司是領(lǐng)先的集成電路EDA軟件與晶圓級(jí)電性測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商，公司專注于芯片成品率提升和電性測(cè)試快速監(jiān)控技術(shù)，是國(guó)內(nèi)外多家大型集成電路制造與設(shè)計(jì)企業(yè)的重要合作伙伴。
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射頻簡(jiǎn)稱RF射頻就是射頻電流，它是一種高頻交流變化電磁波的簡(jiǎn)稱。每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流，大于1000次的稱為高頻電流，而射頻就是這樣一種高頻電流。有線電視系統(tǒng)就是采用射頻傳輸方式的
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去耦（decoupling）電容也稱退耦電容，一般都安置在元件附近的電源處，用來濾除高頻噪聲，使電壓穩(wěn)定干凈，保證元件的正常工作。去耦電容是電路中裝設(shè)在元件的電源端的電容
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