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標簽 > CVD
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從本質上分析硅氧負極循環壽命更好的原理是:硅氧負極技術路線多用氧化亞硅,相較于單質硅顆粒,氧化亞硅(SiOx)在鋰嵌入過程中發生的體積膨脹較小,其循環穩...
2022-09-29 標簽:CVD 1.3萬 0
為了降低接觸電阻和串聯電阻,在集成電路制造中引入了硅化物工藝,業界先后采用了可規模生產的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。
Producer Black Diamond 3 系統設計為可與 應用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統配合使用。Nan...
化學氣相沉積 (CVD) 能夠生產出兼具高質量、高純度及高強度等優點的材料,因此在半導體行業非常受歡迎。超高真空化學氣相沉積涉及相當復雜的設備和極高的溫...
低頻功率時,離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應時間,所以能把離子加速到具有較高的能量,也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。
當兩個電極通過射頻高電壓時,它們之間就產生一個交流電場。如果射頻功率足夠高,自由電子受到交流電場的影響被加速,直到獲得足夠的能量和反應室中的原子或分子碰...
接觸孔工藝是集成電路制造中的關鍵工藝,也是技術難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一,是決定芯片面積的關鍵尺寸。
前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化...
據麥姆斯咨詢介紹,量子態的獨特性能為開發測量磁場、溫度和電場等變量的高靈敏傳感器提供了巨大潛力。不過,至今該技術的應用仍存在局限性,因為量子態(量子比特...
應用,Novellus正在悄悄地開發用于銅的旋轉低k,以防萬一 慕尼黑 - 您認為IBM公司周一宣布在0.13微米銅IC中使用旋涂低k電介質材料將是Ap...
2020-02-12 標簽:CVD電介質華強pcb線路板打樣 3524 0
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