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用于半導(dǎo)體外延片生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)
一、引言 在半導(dǎo)體制造業(yè)中,外延生長技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。化學(xué)氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長方法,被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CV...
Hello,大家好,今天來分享下半導(dǎo)體FAB中常見的五種CVD工藝。 化學(xué)氣相沉積(CVD)主要是通過利用氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工...
Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點優(yōu)化
上海伯東日本 Atonarp Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀, 基于四級桿的質(zhì)量分離, Aston 質(zhì)譜分析儀設(shè)計緊湊, 適用于氣體分析和...
金剛石具有低密度、高彈性模量、高強度、高熱導(dǎo)率、化學(xué)惰性和生物相容性等優(yōu)異特性,在聲學(xué)領(lǐng)域主要應(yīng)用于高保真喇叭、聲表面波器件、聲傳感器等。
隨著科技的不斷發(fā)展,金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中,化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石由于其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì),尤其在機械密封領(lǐng)域中有著廣...
金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料,人造金剛石晶體有多種不同的類型,大致可分為單形和聚形,每種類型都具有不同的特性和應(yīng)用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用。
CVD因具有可控、高質(zhì)量生長石墨烯的優(yōu)點而引起國內(nèi)外關(guān)注,據(jù)報道石墨烯薄膜可在多個襯底上生長,如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明,采用CVD工藝生長...
在實驗方面,我們在VDW數(shù)據(jù)集,以及公開的Sintel和NYUDV2數(shù)據(jù)集上,均取得了SOTA的空間精度和時域一致性。其中VDW和Sintel為自然場景...
2023-08-09 標(biāo)簽:網(wǎng)絡(luò)視頻數(shù)據(jù)傳輸CVD 629 0
自下而上設(shè)計,精細(xì)合成硬碳微結(jié)構(gòu)—高效堿金屬負(fù)極!
堿金屬離子電池(AMIBs)的電化學(xué)特性在很大程度上取決于負(fù)極材料。作為最有前途的負(fù)極材料之一,碳質(zhì)材料具有成本低、資源豐富和環(huán)境友好等優(yōu)點,在鋰、鈉和...
國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實驗
SiC薄膜生長方法有多種,其中化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...
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