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cvd技術(shù)

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)為可與應(yīng)用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統(tǒng)配合使用。Nan...

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓邏輯器件 CVD 7970 0

CVD與PVD的工藝特征及其建模方法

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-05-16 標(biāo)簽：集成電路 CVD 光刻工藝 885 0

CVD 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器說明

2023-03-13 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器步進(jìn)電機(jī)CVD 2787 0

等離子體刻蝕工藝簡介

鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 標(biāo)簽：PVD ICP CVD 2402 0

刻蝕工藝基礎(chǔ)知識(shí)簡析

刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。

2023-02-06 標(biāo)簽：晶圓 SEM 電子顯微鏡 6525 0

梯度包覆策略助力高性能全固態(tài)鋰電池

開發(fā)高穩(wěn)定性儲(chǔ)能系統(tǒng)是解決未來能源問題的重要方法。傳統(tǒng)鋰離子電池由于其使用易燃有機(jī)液體電解質(zhì)，安全問題嚴(yán)峻，而使用固態(tài)電解質(zhì)（SSEs）代替液態(tài)有機(jī)電解...

2023-01-30 標(biāo)簽：鋰離子電池開路電壓 SCL 823 0

主側(cè)墻和N+/P+源漏的形成

首先，沉積四乙基原硅酸鹽氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驅(qū)的CVD氧化物，簡稱TEOS-ox）和氮化硅的復(fù)合層，并對TEOS-ox和氮化硅進(jìn)行等離子體...

2023-01-12 標(biāo)簽：MOS管 CVD 1287 0

CVD過程中的等離子工藝

CVD過程中，不僅在晶圓表面出現(xiàn)沉積，工藝室的零件和反應(yīng)室的墻壁上也都會(huì)有沉積。

2022-12-27 標(biāo)簽：HDP CVD 2566 0

磁場中的帶電粒子介紹

低頻功率時(shí)，離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應(yīng)時(shí)間，所以能把離子加速到具有較高的能量，也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。

2022-12-07 標(biāo)簽：電容耦合電磁場 CVD 3529 0

半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個(gè)不成對的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非常活躍，能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標(biāo)簽：等離子體工藝 CVD 1255 0

等離子第一個(gè)電子是從哪里及如何產(chǎn)生的？

當(dāng)兩個(gè)電極通過射頻高電壓時(shí)，它們之間就產(chǎn)生一個(gè)交流電場。如果射頻功率足夠高，自由電子受到交流電場的影響被加速，直到獲得足夠的能量和反應(yīng)室中的原子或分子碰...

2022-11-21 標(biāo)簽：ICP CVD 3006 0

集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹

為了降低接觸電阻和串聯(lián)電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業(yè)界先后采用了可規(guī)模生產(chǎn)的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。

2022-11-21 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 CVD 集成電路芯片 9482 0

加熱工藝發(fā)展趨勢

RTCVD過程可以用來沉積多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在淺溝槽隔離工藝中使用CVD氧化硅填充溝槽。

2022-11-08 標(biāo)簽：CVD USG 971 0

進(jìn)行MEMS制造的沉積方法

進(jìn)行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。

2022-10-11 標(biāo)簽：mems NEMS PVD 1870 0

硅氧負(fù)極的工藝流程 CVD法的核心優(yōu)勢

從本質(zhì)上分析硅氧負(fù)極循環(huán)壽命更好的原理是：硅氧負(fù)極技術(shù)路線多用氧化亞硅，相較于單質(zhì)硅顆粒，氧化亞硅（SiOx）在鋰嵌入過程中發(fā)生的體積膨脹較小，其循環(huán)穩(wěn)...

2022-09-29 標(biāo)簽：CVD 1.3萬 0

模擬硅基片上的UHV/CVD及硅生長

化學(xué)氣相沉積 (CVD) 能夠生產(chǎn)出兼具高質(zhì)量、高純度及高強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)的材料，因此在半導(dǎo)體行業(yè)非常受歡迎。超高真空化學(xué)氣相沉積涉及相當(dāng)復(fù)雜的設(shè)備和極高的溫...

2018-06-02 標(biāo)簽：CVD 硅基片 5190 0

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PCB就是印制電路板又稱印制線路板，即英文Printed circuit board的縮寫，是電子原件的承載部分，是電子元器件電氣連接的提供者，PCB根據(jù)其基板材料的不同而不同。
芯和半導(dǎo)體

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芯和半導(dǎo)體是國產(chǎn)EDA行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，提供覆蓋IC、封裝到系統(tǒng)的全產(chǎn)業(yè)鏈仿真EDA解決方案，致力于賦能和加速新一代高速高頻智能電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。　　芯和半導(dǎo)體自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的EDA產(chǎn)品和方案在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝上不斷得到驗(yàn)證，并在5G、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，有效聯(lián)結(jié)了各大IC設(shè)計(jì)公司與制造公司。
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熱設(shè)計(jì)是隨著通訊和信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而出現(xiàn)的一個(gè)較新的行業(yè)，在通訊、安防、PC、汽車、LED以及逆變器等行業(yè)中越來越被重視，成為產(chǎn)品研發(fā)中不可缺少的重要領(lǐng)域。熱設(shè)計(jì)一般由前期的仿真和后期的測試驗(yàn)證來完成。當(dāng)前的主流的仿真軟件有Flotherm， Icepak，F(xiàn)loEFD， 6SigmaET等
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集成電路設(shè)計(jì)（Integrated circuit design， IC design），亦可稱之為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)（VLSI design），是指以集成電路、超大規(guī)模集成電路為目標(biāo)的設(shè)計(jì)流程。集成電路設(shè)計(jì)涉及對電子器件（例如晶體管、電阻器、電容器等）、器件間互連線模型的建立。
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可靠性測試就是為了評(píng)估產(chǎn)品在規(guī)定的壽命期間內(nèi)，在預(yù)期的使用、運(yùn)輸或儲(chǔ)存等所有環(huán)境下，保持功能可靠性而進(jìn)行的活動(dòng)。是將產(chǎn)品暴露在自然的或人工的環(huán)境條件下經(jīng)受其作用，以評(píng)價(jià)產(chǎn)品在實(shí)際使用、運(yùn)輸和儲(chǔ)存的環(huán)境條件下的性能，并分析研究環(huán)境因素的影響程度及其作用機(jī)理。
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